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TN2540N8-G

TN2540N8-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005954a.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details TN2540N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 260 mA, 8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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TN2540N8-G TN2540N8-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005954a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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TN2540N8-G TN2540N8-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005954a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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TN2540N8-G TN2540N8-G Hersteller : Microchip Technology TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
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TN2540N8-G TN2540N8-G Hersteller : Microchip Technology TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
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TN2540N8-G TN2540N8-G Hersteller : Microchip Technology TN2540_N_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442645.pdf MOSFETs 400V 12Ohm
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TN2540N8-G TN2540N8-G Hersteller : MICROCHIP TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf Description: MICROCHIP - TN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 260 mA, 8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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TN2540N8-G TN2540N8-G Hersteller : MICROCHIP TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf Description: MICROCHIP - TN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 260 mA, 8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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TN2540N8-G TN2540N8-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005954a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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TN2540N8-G TN2540N8-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005954a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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TN2540N8-G TN2540N8-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005954a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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TN2540N8-G TN2540N8-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 260mA; Idm: 1.8A; 1.6W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.26A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TN2540N8-G TN2540N8-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY TN2540-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005954A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 260mA; Idm: 1.8A; 1.6W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.26A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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