TN2540N8-G Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
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Technische Details TN2540N8-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 260 mA, 8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.
Weitere Produktangebote TN2540N8-G nach Preis ab 2.58 EUR bis 4.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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TN2540N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TN2540N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET 400V 12Ohm |
auf Bestellung 7279 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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TN2540N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 260 mA, 8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN2540N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 260 mA, 8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TN2540N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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TN2540N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 260mA; Idm: 1.8A; 1.6W; SOT89 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.8A Case: SOT89 Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.26A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TN2540N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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TN2540N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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TN2540N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 260mA; Idm: 1.8A; 1.6W; SOT89 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.8A Case: SOT89 Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.26A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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