TP0604N3-G Microchip Technology
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Technische Details TP0604N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - TP0604N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 430 mA, 1.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 430mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 740mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote TP0604N3-G nach Preis ab 1.7 EUR bis 3.04 EUR
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TP0604N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.43A 3-Pin TO-92 Bag |
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TP0604N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.43A 3-Pin TO-92 Bag |
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TP0604N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET 40V 2 Ohm |
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TP0604N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 740mW; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Pulsed drain current: -2A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TP0604N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 740mW; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Pulsed drain current: -2A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
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,TO-226_straightlead.jpg "TP0604N3-G") |
TP0604N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 20 V |
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TP0604N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP0604N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 430 mA, 1.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 430mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 740mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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TP0604N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.43A 3-Pin TO-92 Bag |
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TP0604N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 0.43A 3-Pin TO-92 Bag |
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