TP0606N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 60+ | 1.20 EUR |
| 68+ | 1.06 EUR |
| 77+ | 0.93 EUR |
| 80+ | 0.90 EUR |
| 82+ | 0.87 EUR |
| 100+ | 0.84 EUR |
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Technische Details TP0606N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - TP0606N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 320 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 320mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote TP0606N3-G nach Preis ab 1.35 EUR bis 1.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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TP0606N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TP0606N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFETs 60V 3.5Ohm |
auf Bestellung 2526 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TP0606N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TP0606N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP0606N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 320 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TP0606N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TP0606N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TP0606N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |