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TP2540N8-G

TP2540N8-G Microchip Technology

tp2535.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details TP2540N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-243, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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TP2540N8-G TP2540N8-G Hersteller : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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TP2540N8-G TP2540N8-G Hersteller : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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TP2540N8-G TP2540N8-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -125mA; Idm: -1.2A; 1.6W
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -1.2A
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -125mA
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: P-MOSFET
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TP2540N8-G TP2540N8-G Hersteller : Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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TP2540N8-G TP2540N8-G Hersteller : Microchip Technology TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
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1500+2.28 EUR
2000+2.18 EUR
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TP2540N8-G TP2540N8-G Hersteller : Microchip Technology TP2540_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-3442141.pdf MOSFETs 400V 25Ohm
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TP2540N8-G TP2540N8-G Hersteller : Microchip Technology TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
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TP2540N8-G TP2540N8-G Hersteller : MICROCHIP 2595642.pdf Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-243
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-243
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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