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TP2540N8-G

TP2540N8-G Microchip Technology

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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details TP2540N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-243, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TP2540N8-G TP2540N8-G Microchip Technology tp2535.pdf Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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TP2540N8-G TP2540N8-G Microchip Technology TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
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TP2540N8-G TP2540N8-G MICROCHIP TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-243
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm
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TP2540N8-G TP2540N8-G Microchip Technology TP2540_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FET_Data_Sheet_20006371A.pdf MOSFETs 400V 25Ohm
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TP2540N8-G TP2540N8-G Microchip Technology TP2540-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006371A.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-243
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm
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500+2.61 EUR
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4000+2.42 EUR
6000+2.36 EUR
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TP2540N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
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TP2540N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.125A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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58+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-243
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm
auf Bestellung 2297 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+3.47 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 400V 25Ohm
auf Bestellung 2711 Stücke:
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25+2.93 EUR
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TP2540N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 400V 125MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
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Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
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Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP2540N8-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 125 mA, 19 ohm, TO-243, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-243
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 19ohm
auf Bestellung 2297 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
60+4.22 EUR
61+3.86 EUR
100+3.47 EUR
2000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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