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TP5322K1-G

TP5322K1-G Microchip Technology

-enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005973a.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details TP5322K1-G Microchip Technology

Description: MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V.

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TP5322K1-G TP5322K1-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005973a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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TP5322K1-G TP5322K1-G Hersteller : Microchip Technology TP5322-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005973A.pdf Description: MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
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TP5322K1-G TP5322K1-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005973a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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TP5322K1-G TP5322K1-G Hersteller : Microchip Technology TP5322-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005973A.pdf Description: MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 220 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V
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TP5322K1-G TP5322K1-G Hersteller : Microchip Technology TP5322_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-1857846.pdf MOSFET 220V 12 Ohm 0.7A
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TP5322K1-G TP5322K1-G Hersteller : Microchip Technology tp532220c081613.pdf Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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TP5322K1-G TP5322K1-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005973a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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TP5322K1-G TP5322K1-G Hersteller : Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005973a.pdf Trans MOSFET P-CH Si 220V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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TP5322K1-G TP5322K1-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY tp5322.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.7A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -220V
Pulsed drain current: -0.7A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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TP5322K1-G TP5322K1-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY tp5322.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.7A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -220V
Pulsed drain current: -0.7A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
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On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
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