TP65H070G4LSGEA-TR RENESAS
Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - TP65H070G4LSGEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 11.9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.52 EUR |
| 500+ | 5.22 EUR |
| 1000+ | 5.09 EUR |
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Technische Details TP65H070G4LSGEA-TR RENESAS
Description: RENESAS - TP65H070G4LSGEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Ladung, typ.: 11.9nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.
Weitere Produktangebote TP65H070G4LSGEA-TR nach Preis ab 5.09 EUR bis 14.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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TP65H070G4LSGEA-TR | RENESAS |
Description: RENESAS - TP65H070G4LSGEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 11.9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
auf Bestellung 2415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TP65H070G4LSGEA-TR | Renesas Electronics Corporation |
Description: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN |
auf Bestellung 2917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TP65H070G4LSGEA-TR |
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Hersteller: RENESAS
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
Description: RENESAS - TP65H070G4LSGEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 11.9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 9.2 EUR |
| 33+ | 7.13 EUR |
| 100+ | 5.52 EUR |
| 500+ | 5.22 EUR |
| 1000+ | 5.09 EUR |
| TP65H070G4LSGEA-TR |
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Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN
Description: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN
auf Bestellung 2917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.08 EUR |
| 10+ | 9.52 EUR |
| 100+ | 6.95 EUR |
| 500+ | 6.7 EUR |