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TP65H070G4LSGEA-TR Renesas Electronics Corporation

Name: TP65H070G4LSGEA-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 84141751-3
Price: 23.66 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: 650V, 70MOHM GAN FET IN 8X8 PQFN

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Technische Details TP65H070G4LSGEA-TR Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - TP65H070G4LSGEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 11.9nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.

Weitere Produktangebote TP65H070G4LSGEA-TR

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
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TP65H070G4LSGEA-TR

RNCC-S-A0026422890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Hersteller: RENESAS
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TP65H070G4LSGEA-TR

Hersteller: RENESAS
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