TP65H070G4LSGEA-TR RENESAS

Description: RENESAS - TP65H070G4LSGEA-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 11.9 nC, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 11.9nC, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).