TP70H300G4JSGB-TR RENESAS
Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - TP70H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8 A, 0.312 ohm, 5.4 nC, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Dauer-Drainstrom Id: 8A
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 5.4nC
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details TP70H300G4JSGB-TR RENESAS
Description: RENESAS - TP70H300G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8 A, 0.312 ohm, 5.4 nC, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 5.4nC, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.312ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote TP70H300G4JSGB-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TP70H300G4JSGB-TR | Hersteller : Renesas Electronics |
GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN |
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