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TP70H480G4JSGB-TR RENESAS


RNCC-S-A0026422877-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - TP70H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
auf Bestellung 3946 Stücke:
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Technische Details TP70H480G4JSGB-TR RENESAS

Description: RENESAS - TP70H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Ladung, typ.: 5.2nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: SuperGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TP70H480G4JSGB-TR TP70H480G4JSGB-TR RENESAS RNCC-S-A0026422877-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: RENESAS - TP70H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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21+11.07 EUR
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - TP70H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Oberflächenmontage
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