TP70H480G4JSGB-TR RENESAS
Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - TP70H480G4JSGB-TR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5 A, 0.56 ohm, 5.2 nC, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Dauer-Drainstrom Id: 5A
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SuperGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details TP70H480G4JSGB-TR RENESAS
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TP70H480G4JSGB-TR | RENESAS |
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auf Bestellung 3946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TP70H480G4JSGB-TR |
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Hersteller: RENESAS
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Produktpalette: SuperGaN Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

