| Anzahl | Privatkunde |
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| 201+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
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Technische Details TP89R103NL,LQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TP89R103NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0078 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TP89R103NL,LQ(S nach Preis ab 0.48 EUR bis 1.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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TP89R103NL,LQ(S | TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TP89R103NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0078 ohm, SOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 6985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TP89R103NL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TP89R103NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0078 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: To Be Advised |
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| TP89R103NL,LQ(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TP89R103NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0078 ohm, SOP, Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TP89R103NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0078 ohm, SOP, Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 130+ | 1.93 EUR |
| 156+ | 1.5 EUR |
| 247+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 5000+ | 0.48 EUR |
| TP89R103NL,LQ(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TP89R103NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0078 ohm, SOP, Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TP89R103NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0078 ohm, SOP, Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
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| 130+ | 1.93 EUR |
| 156+ | 1.5 EUR |
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