TPC8120 Toshiba

Description: TOSHIBA - TPC8120 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 18, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.9, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800, Verlustleistung: 1.9, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).