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TPH1R005PL,L1Q

TPH1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=15643&prodName=TPH1R005PL
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details TPH1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TPH1R005PL,L1Q TPH1R005PL,L1Q Toshiba tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 22000 Stücke:
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TPH1R005PL,L1Q TPH1R005PL,L1Q Toshiba tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPH1R005PL,L1Q TPH1R005PL,L1Q Toshiba tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
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250+2.23 EUR
500+2.12 EUR
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3000+2.01 EUR
6000+2 EUR
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TPH1R005PL,L1Q TPH1R005PL,L1Q Toshiba tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPH1R005PL,L1Q TPH1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15643&prodName=TPH1R005PL Description: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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TPH1R005PL,L1Q TPH1R005PL,L1Q Toshiba EFFB69CAC491F5BC473978A8E33CAE889239F70F3B558BA42B9F336A2B45E655.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
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Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
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Description: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
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Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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TPH1R005PL,L1Q
Hersteller: Toshiba
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
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