TPH2R306PL1,LQ(M TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.46 EUR |
| 500+ | 2.05 EUR |
| 1000+ | 1.89 EUR |
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Technische Details TPH2R306PL1,LQ(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 170W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.
Weitere Produktangebote TPH2R306PL1,LQ(M nach Preis ab 1.89 EUR bis 7.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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TPH2R306PL1,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 170W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm |
auf Bestellung 4879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPH2R306PL1,LQ(M |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
Description: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 35+ | 7.18 EUR |
| 55+ | 4.3 EUR |
| 100+ | 2.46 EUR |
| 500+ | 2.05 EUR |
| 1000+ | 1.89 EUR |