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TPH2R408QM,L1Q

TPH2R408QM,L1Q Toshiba

tph2r408qm_datasheet_en_20211224.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
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Technische Details TPH2R408QM,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V.

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TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Hersteller : Toshiba tph2r408qm_datasheet_en_20211224.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
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TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
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TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Hersteller : Toshiba TPH2R408QM_datasheet_en_20211224-1775642.pdf MOSFETs SOP N CHAN 80V
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TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Hersteller : Toshiba tph2r408qm_datasheet_en_20211224.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
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