TPH3R003PL,LQ(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 0.0022 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details TPH3R003PL,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 0.0022 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 134A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote TPH3R003PL,LQ(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TPH3R003PL,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 0.0022 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 134A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPH3R003PL,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 134A; Idm: 200A; 90W; SOP8 Pulsed drain current: 200A Mounting: SMD Case: SOP8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 134A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TPH3R003PL,LQ(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TPH3R003PL,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 134A; Idm: 200A; 90W; SOP8 Pulsed drain current: 200A Mounting: SMD Case: SOP8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 134A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
Produkt ist nicht verfügbar |