Produkte > TOSHIBA > TPH4R606NH,L1Q
TPH4R606NH,L1Q

TPH4R606NH,L1Q Toshiba


TPH4R606NH_datasheet_en_20140107-1140021.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
auf Bestellung 2653 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.15 EUR
10+2.76 EUR
100+1.95 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TPH4R606NH,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V.

Weitere Produktangebote TPH4R606NH,L1Q nach Preis ab 1.43 EUR bis 4.63 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TPH4R606NH,L1Q TPH4R606NH,L1Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13357&prodName=TPH4R606NH Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
auf Bestellung 4623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.63 EUR
10+2.99 EUR
100+2.06 EUR
500+1.66 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R606NH,L1Q Hersteller : Toshiba TPH4R606NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13357&prodName=TPH4R606NH N-MOSFET 60V 32A 1.6W 4.6mΩ TPH4R606NH,L1Q Toshiba TTPH4r606nh
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.90 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R606NH,L1Q
Produktcode: 179170
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

TPH4R606NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13357&prodName=TPH4R606NH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R606NH,L1Q TPH4R606NH,L1Q Hersteller : Toshiba 3032docget.jsplangenpidtph4r606nhtypedatasheet.jsplangenpidtph4r606nh.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH4R606NH,L1Q TPH4R606NH,L1Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13357&prodName=TPH4R606NH Description: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH