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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TPH-005THE PI HUTDescription: THE PI HUT - TPH-005 - POE+ HAT CASE FOR RASPBERRY PI 4 V2
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: 69mm
Außenhöhe: 33mm
Zur Verwendung mit: Raspberry Pi 4
usEccn: EAR99
Außenbreite: 98mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.74 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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TPH-100Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-100Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 100A 170VDC CYLINDR
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TPH-125Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 125A 170VDC CYLINDR
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TPH-125Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-150Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-150Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 150A 170VDC CYLINDR
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TPH-200Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 200A 170VDC CYLINDR
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TPH-200Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-225Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-225Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 225A 170VDC CYLINDR
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TPH-250Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-250Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 250A 170VDC CYLINDR
Voltage Rating - DC: 170 VDC
Part Status: Active
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Approval Agency: CE, UR
Applications: Telecom
Mounting Type: Bolt Mount
Current Rating (Amps): 250A
Fuse Type: Cartridge
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Packaging: Bulk
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TPH-300Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 300A 170VDC CYLINDR
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TPH-300Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TPH-400Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-400Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 400A 170VDC CYLINDR
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TPH-450Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 450A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 450A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 170 V
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TPH-450Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-500Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH-500Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 500A 170VDC CYLINDR
Voltage Rating - DC: 170 VDC
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Approval Agency: CE, UR
Applications: Telecom
Mounting Type: Bolt Mount
Current Rating (Amps): 500A
Fuse Type: Cartridge
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Packaging: Bulk
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TPH-600Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH-600Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 600A 170VDC CYLINDR
Approval Agency: CE, UR
Applications: Telecom
Mounting Type: Bolt Mount
Current Rating (Amps): 600A
Fuse Type: Cartridge
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Packaging: Bulk
Voltage Rating - DC: 170 VDC
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH-70Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 70A 170VDC CYLINDR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH-70Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH-80Bussmann / EatonIndustrial & Electrical Fuses TELPOWER FUSE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH-80Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 80A 170VDC CYLINDR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Approval Agency: CE, UR
Applications: Telecom
Mounting Type: Bolt Mount
Current Rating (Amps): 80A
Fuse Type: Cartridge
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Packaging: Bulk
Voltage Rating - DC: 170 VDC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH-HT
Produktcode: 21596
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TRESTONAufbewahrungssysteme und Möbel > Industriemöbel Treston
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1+16.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH0603-100M-F0
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH080808ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 08-08-08
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH100810ABB Installation ProductsConduit Fittings & Accessories HIGH TEMP T PIECE NC 10 08 10
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11003NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 8-Pin SOP Advance T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11003NL,LQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V
auf Bestellung 2795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.0094 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
150+1.55 EUR
237+0.9 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11003NL,LQ(SToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
507+0.35 EUR
526+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 507 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.0094 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.02 EUR
150+1.55 EUR
237+0.9 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11003NLLQ(SToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11006NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 29746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
100+0.76 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11006NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11006NL,LQToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 60V 40A 23nC MOSFET
auf Bestellung 88832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.71 EUR
100+0.68 EUR
500+0.67 EUR
3000+0.61 EUR
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11006NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 40822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.15 EUR
106+2.21 EUR
121+1.78 EUR
500+1.44 EUR
1500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11006NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0114 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 40822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.15 EUR
106+2.21 EUR
121+1.78 EUR
500+1.44 EUR
1500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH11006NLLQ(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1100CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V UMOS10-H SOP ADVANCE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 24.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.95 EUR
10+3.87 EUR
25+3.32 EUR
100+2.71 EUR
250+2.42 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.08 EUR
2500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1100CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V UMOS10-H SOP ADVANCE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 75 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1100CQ5,LQToshibaMOSFETs 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 11.1mohm
auf Bestellung 4951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.62 EUR
10+3.64 EUR
100+2.68 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.09 EUR
5000+1.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1100CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1100CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.0111 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.8 EUR
63+3.69 EUR
100+2.59 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1100CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1100CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.0111 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110ENH,L1QToshibaMOSFET UMOSVIII 200V 131m (VGS=10V) SOP-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+2.8 EUR
102+2.28 EUR
123+1.75 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
5000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110ENH,L1Q(MToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.32 EUR
121+1.77 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.37 EUR
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 2041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.93 EUR
103+1.63 EUR
113+1.44 EUR
123+1.26 EUR
144+1.04 EUR
250+0.88 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 2041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.94 EUR
103+1.68 EUR
112+1.5 EUR
123+1.34 EUR
144+1.13 EUR
250+0.99 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110ENHL1Q(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110FNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 15A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110FNH,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.8 EUR
10+3.09 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
2000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 3727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.54 EUR
52+4.55 EUR
100+2.4 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1110FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 3727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.4 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH12008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
auf Bestellung 3777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.8 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH12008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH12008NH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
auf Bestellung 2753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.55 EUR
100+1.17 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.83 EUR
2500+0.79 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH12008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.73 EUR
15000+0.65 EUR
30000+0.6 EUR
45000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH12008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
auf Bestellung 2854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.62 EUR
112+2.08 EUR
159+1.36 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH12008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.14 EUR
174+0.99 EUR
198+0.84 EUR
207+0.8 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH12008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.75 EUR
107+2.19 EUR
159+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH12008NHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH14006NHToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH14006NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH14006NH,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 60V 34A 16nC MOSFET
auf Bestellung 3781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.75 EUR
100+1.36 EUR
500+1.15 EUR
1000+0.88 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH14006NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH14006NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.03 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH14006NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 32W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 2791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+3.97 EUR
109+2.13 EUR
164+1.31 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH14006NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 9451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
436+0.4 EUR
439+0.39 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.35 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 436 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH14006NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 32W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
auf Bestellung 2791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.97 EUR
109+2.13 EUR
164+1.31 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH14006NHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH14006NHL1Q(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1400ANHToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1400ANH,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
auf Bestellung 5084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.98 EUR
5000+0.87 EUR
10000+0.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1400ANH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1400ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
auf Bestellung 14651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.92 EUR
10+2.5 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1400ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1400ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
133+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1400ANH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 4960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.52 EUR
134+1.29 EUR
157+1.07 EUR
200+1 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1400ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 48W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.38 EUR
90+2.59 EUR
133+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1400ANHL1Q(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1400CQ5,LQToshibaMOSFETs 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 14.1mohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+2.7 EUR
25+2.51 EUR
100+2.08 EUR
250+1.95 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1400CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0141 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0141ohm
auf Bestellung 4973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.4 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1400CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0141 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0141ohm
auf Bestellung 4973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+6.97 EUR
56+4.18 EUR
100+2.4 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH1400CQH,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 32 A, 0.0114 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
auf Bestellung 3720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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