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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
TPH-005THE PI HUTDescription: THE PI HUT - TPH-005 - POE+ HAT CASE FOR RASPBERRY PI 4 V2
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: 69mm
Außenhöhe: 33mm
Zur Verwendung mit: Raspberry Pi 4
usEccn: EAR99
Außenbreite: 98mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH-100Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-100Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 100A 170VDC CYLINDR
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TPH-125Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 125A 170VDC CYLINDR
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TPH-125Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-150Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-150Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 150A 170VDC CYLINDR
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TPH-200Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 200A 170VDC CYLINDR
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TPH-200Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-225Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-225Eaton BussmannDescription: FUSE CRTRDGE 225A 170VDC CYLINDR
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TPH-250Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-250Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 250A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 250A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 170 VDC
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TPH-300Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 300A 170VDC CYLINDR
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TPH-300Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TPH-400Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-400Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 400A 170VDC CYLINDR
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TPH-450Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 450A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 450A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 170 V
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TPH-450Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-500Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 500A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 500A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Voltage Rating - DC: 170 VDC
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TPH-600Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-600Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 600A 170VDC CYLINDR
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TPH-70Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-70Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 70A 170VDC CYLINDR
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TPH-80Bussmann / EatonSpecialty Fuses TELPOWER FUSE
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TPH-80Eaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE CRTRDGE 80A 170VDC CYLINDR
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylindrical, Blade Terminal (Bolt)
Size / Dimension: 1.500" Dia x 1.252" L (38.10mm x 31.80mm)
Fuse Type: Cartridge
Current Rating (Amps): 80A
Mounting Type: Bolt Mount
Applications: Telecom
Approval Agency: CE, UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Voltage Rating - DC: 170 VDC
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TPH-HT
Produktcode: 21596		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
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TPH0001SolidRunHummingBoardThermal Pad20*20*0.5MM
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TPH0603-100M-F0
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPH11003NL,LQToshibaMOSFET N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V
auf Bestellung 2869 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
29+1.81 EUR
33+ 1.59 EUR
100+ 1.1 EUR
500+ 0.92 EUR
1000+ 0.78 EUR
3000+ 0.69 EUR
6000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 29
TPH11003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
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TPH11003NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPH11003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
auf Bestellung 2298 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15+1.82 EUR
17+ 1.58 EUR
100+ 1.09 EUR
500+ 0.91 EUR
1000+ 0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TPH11003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 32A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPH11003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.0094 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH11003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.0094 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH11003NLLQ(SToshibaMOSFET
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TPH11006NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 33937 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15+1.85 EUR
17+ 1.61 EUR
100+ 1.11 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH11006NL,LQToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 60V 40A 23nC MOSFET
auf Bestellung 91879 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
36+1.47 EUR
40+ 1.3 EUR
100+ 0.97 EUR
500+ 0.84 EUR
1000+ 0.73 EUR
3000+ 0.68 EUR
6000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 36
TPH11006NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.7 EUR
6000+ 0.67 EUR
9000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPH11006NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPH11006NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0096 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
auf Bestellung 50242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH11006NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0096 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
auf Bestellung 50242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH11006NL,LQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 34W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Power dissipation: 34W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
139+ 0.51 EUR
158+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
176+ 0.41 EUR
178+ 0.4 EUR
500+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 68
TPH11006NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPH11006NL,LQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 34W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Power dissipation: 34W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 5495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.06 EUR
139+ 0.51 EUR
158+ 0.45 EUR
168+ 0.43 EUR
176+ 0.41 EUR
178+ 0.4 EUR
500+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 68
TPH11006NLLQ(SToshibaMOSFET
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TPH1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1110ENH,L1QToshibaMOSFET UMOSVIII 200V 131m (VGS=10V) SOP-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1110ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1110ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1110ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1110ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 4790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.36 EUR
136+ 1.11 EUR
158+ 0.92 EUR
200+ 0.84 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 115
TPH1110ENHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1110FNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 15A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 11587 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.21 EUR
10+ 3.49 EUR
100+ 2.78 EUR
500+ 2.35 EUR
1000+ 1.99 EUR
2000+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TPH1110FNH,L1QToshibaMOSFET X35PBF Power MOSFET Transistr95ohm250V
auf Bestellung 4278 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.21 EUR
15+ 3.51 EUR
100+ 2.78 EUR
250+ 2.56 EUR
500+ 2.34 EUR
1000+ 1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH1110FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
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Dauer-Drainstrom Id: 15A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1110FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1110FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15 A, 0.095 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1110FNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 15A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH12008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.37 EUR
14+ 1.94 EUR
100+ 1.51 EUR
500+ 1.28 EUR
1000+ 1.04 EUR
2000+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 11
TPH12008NH,L1QToshibaMOSFET N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
auf Bestellung 3825 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
22+2.39 EUR
27+ 1.98 EUR
100+ 1.54 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1 EUR
5000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 22
TPH12008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH12008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH12008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
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5000+0.65 EUR
15000+ 0.57 EUR
30000+ 0.51 EUR
45000+ 0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH12008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH12008NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH12008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.02 EUR
174+ 0.87 EUR
198+ 0.73 EUR
207+ 0.68 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 153
TPH12008NHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH14006NHToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH14006NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH14006NH,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 60V 34A 16nC MOSFET
auf Bestellung 3781 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.63 EUR
24+ 2.17 EUR
100+ 1.69 EUR
500+ 1.43 EUR
1000+ 1.1 EUR
5000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20
TPH14006NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH14006NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
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Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.65 EUR
13+ 2.16 EUR
100+ 1.68 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.16 EUR
2000+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TPH14006NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH14006NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH14006NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 9451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
436+0.36 EUR
439+ 0.34 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.3 EUR
2000+ 0.29 EUR
5000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 436
TPH14006NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH14006NHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH14006NHL1Q(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1400ANHToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1400ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
auf Bestellung 4458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.43 EUR
10+ 2.81 EUR
100+ 2.18 EUR
500+ 1.85 EUR
1000+ 1.51 EUR
2000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPH1400ANH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1400ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1400ANH,L1QToshibaMOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
auf Bestellung 9456 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.46 EUR
19+ 2.83 EUR
100+ 2.2 EUR
500+ 1.87 EUR
1000+ 1.43 EUR
5000+ 1.36 EUR
10000+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TPH1400ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 7515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1400ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 7515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1400ANH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1400ANH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 14980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.52 EUR
122+ 1.24 EUR
142+ 1.03 EUR
200+ 0.94 EUR
500+ 0.84 EUR
1000+ 0.76 EUR
5000+ 0.64 EUR
10000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 104
TPH1500CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
auf Bestellung 8293 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.55 EUR
10+ 3.79 EUR
100+ 3.02 EUR
500+ 2.55 EUR
1000+ 2.17 EUR
2000+ 2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TPH1500CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1500CNH,L1QToshibaMOSFET TSON-ADV 00 PD=78W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 23509 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.6 EUR
14+ 3.82 EUR
100+ 3.04 EUR
500+ 2.59 EUR
1000+ 2.07 EUR
5000+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TPH1500CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH1500CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1500CNH,LQ(M1ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.66 EUR
96+ 1.58 EUR
99+ 1.47 EUR
105+ 1.33 EUR
250+ 1.25 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 0.96 EUR
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Mindestbestellmenge: 95
TPH1500CNH,LQ(M1ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.77 EUR
95+ 1.6 EUR
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99+ 1.41 EUR
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Mindestbestellmenge: 89
TPH1500CNH,LQ(M1ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1500CNH1,LQToshibaMOSFET 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm
auf Bestellung 10000 Stücke:
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14+3.82 EUR
17+ 3.15 EUR
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500+ 2.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 14
TPH1500CNH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1500CNH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1500CNH1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1500CNHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1500CNHLQ(M1ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R005PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R005PL,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.65 EUR
14+ 3.87 EUR
100+ 3.09 EUR
500+ 2.6 EUR
1000+ 2.1 EUR
5000+ 2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TPH1R005PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 280A; Idm: 500A; 170W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 280A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 170W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R005PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.0008 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1R005PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 280A; Idm: 500A; 170W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 280A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 170W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R005PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.0008 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 15000 Stücke:
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TPH1R005PLL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R104PB,L1Q(OToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R104PB,L1XHQToshibaMOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 7257 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.16 EUR
16+ 3.46 EUR
100+ 2.76 EUR
250+ 2.54 EUR
500+ 2.3 EUR
1000+ 1.92 EUR
2500+ 1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TPH1R104PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH1R104PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
auf Bestellung 8844 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.94 EUR
10+ 4.11 EUR
100+ 3.27 EUR
500+ 2.77 EUR
1000+ 2.35 EUR
2000+ 2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TPH1R104PBL1Q(OToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PB,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.61 EUR
18+ 2.94 EUR
100+ 2.29 EUR
500+ 1.94 EUR
1000+ 1.49 EUR
2500+ 1.48 EUR
5000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TPH1R204PB,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.39 EUR
10000+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH1R204PB,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PB,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
auf Bestellung 31092 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.54 EUR
10+ 2.89 EUR
100+ 2.25 EUR
500+ 1.91 EUR
1000+ 1.55 EUR
2000+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPH1R204PB,L1Q(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PB,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PB,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 850 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1R204PLToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 11550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.34 EUR
118+ 1.28 EUR
119+ 1.22 EUR
137+ 1.02 EUR
250+ 0.93 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.77 EUR
3000+ 0.75 EUR
6000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 117
TPH1R204PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
auf Bestellung 6931 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.54 EUR
10+ 2.89 EUR
100+ 2.25 EUR
500+ 1.91 EUR
1000+ 1.55 EUR
2000+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 11550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.32 EUR
119+ 1.27 EUR
137+ 1.06 EUR
250+ 0.97 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.8 EUR
3000+ 0.75 EUR
6000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 118
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PL,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR PD=132W
auf Bestellung 15492 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.07 EUR
21+ 2.59 EUR
100+ 2.07 EUR
500+ 1.79 EUR
1000+ 1.49 EUR
2500+ 1.48 EUR
5000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TPH1R204PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH1R204PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PL,L1Q(M
Produktcode: 176221		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 246A; 132W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 246A
Power dissipation: 132W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 246A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 246A; 132W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 246A
Power dissipation: 132W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PL,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PL,LQ(M1ToshibaTPH1R204PL,LQ(M1
auf Bestellung 4935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.08 EUR
148+ 1.02 EUR
155+ 0.94 EUR
200+ 0.89 EUR
500+ 0.85 EUR
1000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 145
TPH1R204PL1,LQToshibaMOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.87 EUR
17+ 3.17 EUR
100+ 2.47 EUR
500+ 2.09 EUR
1000+ 1.6 EUR
5000+ 1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TPH1R204PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
auf Bestellung 17006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.85 EUR
10+ 3.14 EUR
100+ 2.44 EUR
500+ 2.07 EUR
1000+ 1.68 EUR
2000+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TPH1R204PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.51 EUR
10000+ 1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH1R204PL1,LQ(MToshibaTPH1R204PL1,LQ(M
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.21 EUR
78+ 1.94 EUR
100+ 1.52 EUR
200+ 1.37 EUR
500+ 1.31 EUR
1000+ 1.12 EUR
2000+ 1 EUR
5000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 71
TPH1R204PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.001 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
auf Bestellung 2053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1R204PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R204PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.001 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
auf Bestellung 2053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1R204PL1,LQ(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PL1LQ(MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PL1LQ(MWToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PLL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R204PLLQ(M1ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R306P1,L1QToshibaMOSFET SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 40563 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.75 EUR
11+ 4.78 EUR
100+ 3.82 EUR
250+ 3.51 EUR
500+ 3.2 EUR
1000+ 2.6 EUR
2500+ 2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TPH1R306P1,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
auf Bestellung 11811 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.75 EUR
10+ 4.77 EUR
100+ 3.8 EUR
500+ 3.21 EUR
1000+ 2.73 EUR
2000+ 2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TPH1R306P1,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH1R306P1,L1Q(MToshibaSilicon N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R306P1,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1R306P1,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306P1,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 A, 960 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1R306PLToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH1R306PL,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 10203 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.84 EUR
13+ 4 EUR
100+ 3.2 EUR
250+ 3.04 EUR
500+ 2.68 EUR
1000+ 2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 11
TPH1R306PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
auf Bestellung 9932 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.81 EUR
10+ 3.99 EUR
100+ 3.17 EUR
500+ 2.68 EUR
1000+ 2.28 EUR
2000+ 2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TPH1R306PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 170W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R306PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 170W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R306PL,L1Q(MToshibaSilicon N-channel MOS (U-MOS -H)
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R306PL,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R306PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R306PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH1R306PL1,LQToshibaMOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)
auf Bestellung 46618 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.64 EUR
12+ 4.68 EUR
100+ 3.72 EUR
250+ 3.64 EUR
500+ 3.15 EUR
1000+ 2.54 EUR
5000+ 2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TPH1R306PL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R306PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
auf Bestellung 9850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.75 EUR
10+ 4.77 EUR
100+ 3.79 EUR
500+ 3.21 EUR
1000+ 2.72 EUR
2000+ 2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TPH1R306PL1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R306PL1,LQ(MToshibaTPH1R306PL1,LQ(M
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.15 EUR
62+ 2.46 EUR
100+ 2.22 EUR
500+ 1.89 EUR
1000+ 1.7 EUR
2000+ 1.59 EUR
5000+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 50
TPH1R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 0.001 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 0.001 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1R306PL1LQ(MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R306PLL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R306PLLQ(M1ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R403NLToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R403NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 150A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R403NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
auf Bestellung 4879 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.59 EUR
10+ 2.93 EUR
100+ 2.28 EUR
500+ 1.93 EUR
1000+ 1.58 EUR
2000+ 1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPH1R403NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R403NL,L1QToshibaMOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
auf Bestellung 3739 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.59 EUR
18+ 2.94 EUR
100+ 2.3 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.5 EUR
2500+ 1.49 EUR
5000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TPH1R403NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 150A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R403NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 0.0012 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1R403NL1,LQ(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R403NL1,LQ(MToshibaTPH1R403NL1,LQ(M
auf Bestellung 4988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.49 EUR
124+ 1.22 EUR
144+ 1.01 EUR
200+ 0.92 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 105
TPH1R403NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 0.0012 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1R403NL1LQ(MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R403NLL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R403NLL1Q(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R405PL,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.67 EUR
18+ 3.02 EUR
100+ 2.34 EUR
500+ 1.99 EUR
1000+ 1.53 EUR
2500+ 1.52 EUR
5000+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TPH1R405PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 45V 232A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R405PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R405PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
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TPH1R405PL,L1Q(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
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TPH1R405PLL1Q(MToshibaToshiba
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TPH1R712MD,L1QToshibaMOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
auf Bestellung 8923 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.46 EUR
19+ 2.83 EUR
100+ 2.2 EUR
500+ 1.87 EUR
1000+ 1.43 EUR
5000+ 1.36 EUR
10000+ 1.35 EUR
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TPH1R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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5000+0.88 EUR
10000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH1R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
auf Bestellung 11633 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.43 EUR
10+ 2.81 EUR
100+ 2.18 EUR
500+ 1.85 EUR
1000+ 1.51 EUR
2000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPH1R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH1R712MD,L1QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.88 EUR
10000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH1R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH1R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00135 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
auf Bestellung 13407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1R712MD,L1Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 4998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.23 EUR
77+ 1.96 EUR
100+ 1.54 EUR
200+ 1.39 EUR
1000+ 1.18 EUR
2000+ 1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 71
TPH1R712MD,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00135 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
auf Bestellung 13407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH1R712MDL1Q(MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
auf Bestellung 8954 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.74 EUR
10+ 3.06 EUR
100+ 2.38 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.65 EUR
2000+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TPH2010FNH,L1QToshibaMOSFET UMOSVIII 250V 205m (VGS=10V) SOP-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH2010FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2010FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 10 A, 0.168 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2010FNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 10A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2501-TR3PEAKDescription: HIGH SPEEDOPERATIONAL AMPLIFIER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 8mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-5
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2501-TR3PEAKDescription: HIGH SPEEDOPERATIONAL AMPLIFIER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 8mA
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: SOT-23-5
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2502-SR3PEAKDescription: HIGH SPEEDOPERATIONAL AMPLIFIER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2502-SR3PEAKDescription: HIGH SPEEDOPERATIONAL AMPLIFIER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-SOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2502-VR3PEAKDescription: HIGH SPEEDOPERATIONAL AMPLIFIER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2502-VR3PEAKDescription: HIGH SPEEDOPERATIONAL AMPLIFIER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 250 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2502-VR-S3PEAKDescription: VOLTAGE FEEDBACK AMPLIFIER 2 CIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2502-VR-S3PEAKDescription: VOLTAGE FEEDBACK AMPLIFIER 2 CIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Single Ended, Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Supply: 6.5mA (x2 Channels)
Slew Rate: 200V/µs
Gain Bandwidth Product: 120 MHz
Current - Input Bias: 3 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 290 mA
-3db Bandwidth: 90 MHz
Voltage - Supply Span (Min): 2.5 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
auf Bestellung 15173 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.95 EUR
10+ 4.96 EUR
100+ 3.94 EUR
500+ 3.34 EUR
1000+ 2.83 EUR
2000+ 2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TPH2900ENH,L1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 12836 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.01 EUR
11+ 4.99 EUR
100+ 3.98 EUR
250+ 3.64 EUR
500+ 3.3 EUR
1000+ 2.83 EUR
2500+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TPH2900ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH2900ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 36A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 8315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2900ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 8315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.01 EUR
6000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TPH2R003PL,LQToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 3747 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.1 EUR
30+ 1.74 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.15 EUR
1000+ 0.93 EUR
3000+ 0.88 EUR
6000+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 25
TPH2R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
auf Bestellung 12129 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+2.37 EUR
13+ 2.13 EUR
100+ 1.66 EUR
500+ 1.37 EUR
1000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 11
TPH2R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R003PL,LQ(SToshibaTPH2R003PL,LQ(S
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R104PL,LQToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 52197 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.7 EUR
24+ 2.22 EUR
100+ 1.72 EUR
500+ 1.46 EUR
1000+ 1.19 EUR
3000+ 1.12 EUR
6000+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20
TPH2R104PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.23 EUR
6000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TPH2R104PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
auf Bestellung 12069 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+2.91 EUR
11+ 2.59 EUR
100+ 2.02 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TPH2R104PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0016 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R104PL,LQ(SToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R104PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0016 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R306NHToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 130A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306NH,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
auf Bestellung 8791 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.11 EUR
16+ 3.43 EUR
100+ 2.73 EUR
500+ 2.28 EUR
1000+ 1.86 EUR
10000+ 1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TPH2R306NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
auf Bestellung 4854 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.19 EUR
10+ 3.49 EUR
100+ 2.78 EUR
500+ 2.35 EUR
1000+ 1.99 EUR
2000+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TPH2R306NH,L1Q
Produktcode: 149945		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306NH,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; 78W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Power dissipation: 78W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306NH,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; 78W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Power dissipation: 78W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH 60V 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306NH,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306NH1,LQToshibaMOSFET UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)
auf Bestellung 41484 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.64 EUR
18+ 3.04 EUR
100+ 2.41 EUR
250+ 2.31 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.64 EUR
5000+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TPH2R306NH1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 190A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
auf Bestellung 13839 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.61 EUR
10+ 3.01 EUR
100+ 2.39 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.72 EUR
2000+ 1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.57 EUR
10000+ 1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH2R306NH1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 190A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R306NH1,LQ(MToshibaTPH2R306NH1,LQ(M
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.47 EUR
70+ 2.17 EUR
100+ 1.71 EUR
200+ 1.53 EUR
1000+ 1.3 EUR
2000+ 1.17 EUR
5000+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 64
TPH2R306NH1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 136 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R306NH1LQ(MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306NHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306NHLQ(M1ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306PL,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANS
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R306PL1,LQ(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 0.0017 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R408QM,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 134136 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.93 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.6 EUR
500+ 2.2 EUR
1000+ 1.77 EUR
5000+ 1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TPH2R408QM,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
auf Bestellung 30730 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.9 EUR
10+ 3.24 EUR
100+ 2.58 EUR
500+ 2.18 EUR
1000+ 1.85 EUR
2000+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TPH2R408QM,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R408QM,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.69 EUR
10000+ 1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH2R408QM,L1QToshibaPb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=210W F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R408QM,L1Q(MToshibaMOSFET Silicon N-channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R408QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0019 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R408QM,LQ(M1ToshibaLVMOS SOP8-ADV, ACTIVE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R408QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0019 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R506PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
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TPH2R506PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R506PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R
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10000+ 0.87 EUR
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TPH2R506PL,L1QToshibaMOSFET N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W
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14+3.77 EUR
17+ 3.09 EUR
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2500+ 1.57 EUR
5000+ 1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TPH2R506PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.72 EUR
10+ 3.05 EUR
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TPH2R506PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
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5000+0.95 EUR
10000+ 0.87 EUR
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TPH2R506PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
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TPH2R506PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
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78+2.01 EUR
84+ 1.8 EUR
100+ 1.46 EUR
200+ 1.33 EUR
1000+ 1.15 EUR
2000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 78
TPH2R506PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R506PL,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R506PL,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
auf Bestellung 3427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R506PL,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R506PL,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
auf Bestellung 3427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R506PLL1Q(MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R608NHToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R608NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R608NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 5084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 146
TPH2R608NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 117473 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.54 EUR
10+ 2.88 EUR
100+ 2.24 EUR
500+ 1.9 EUR
1000+ 1.55 EUR
2000+ 1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPH2R608NH,L1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel Single
auf Bestellung 14209 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.51 EUR
18+ 2.91 EUR
100+ 2.26 EUR
500+ 1.91 EUR
1000+ 1.47 EUR
5000+ 1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TPH2R608NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 5084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.03 EUR
91+ 1.66 EUR
92+ 1.59 EUR
115+ 1.21 EUR
250+ 1.14 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.81 EUR
3000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 78
TPH2R608NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R608NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.39 EUR
10000+ 1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH2R608NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
auf Bestellung 3899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 4998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.45 EUR
114+ 1.32 EUR
119+ 1.22 EUR
124+ 1.13 EUR
135+ 1 EUR
250+ 0.9 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 108
TPH2R608NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
auf Bestellung 3899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 4998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 153
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 9549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.05 EUR
82+ 1.85 EUR
100+ 1.5 EUR
200+ 1.36 EUR
500+ 1.3 EUR
1000+ 1.13 EUR
2000+ 1.02 EUR
5000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 77
TPH2R608NHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R903PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.16 EUR
15+ 1.76 EUR
100+ 1.37 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.95 EUR
2000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TPH2R903PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R903PL,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R903PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 0.0021 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R903PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 124A; Idm: 250A; 81W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 124A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 81W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
68+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 61
TPH2R903PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 124A; Idm: 250A; 81W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 124A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 81W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 61
TPH2R903PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 0.0021 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH2R903PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 124A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3202LDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3202LSTransphormTransphorm
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3202LSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3202PDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3202PSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3205WSBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
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Produkt ist nicht verfügbar
TPH3205WSBQATransphormDescription: GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+57.02 EUR
TPH3205WSBQATransphormMOSFET GAN FET 650V 35A TO247
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+57.56 EUR
10+ 53.09 EUR
30+ 50.7 EUR
120+ 45.32 EUR
TPH3206LDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
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Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Produkt ist nicht verfügbar
TPH3206LDBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
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Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Produkt ist nicht verfügbar
TPH3206LDG-TRTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
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Produkt ist nicht verfügbar
TPH3206LDGBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
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Produkt ist nicht verfügbar
TPH3206LSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
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Produkt ist nicht verfügbar
TPH3206LSBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
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Produkt ist nicht verfügbar
TPH3206LSGBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
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Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
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Produkt ist nicht verfügbar
TPH3206PDTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
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auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+24.83 EUR
50+ 19.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TPH3206PSTransphormDescription: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
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auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2+22.85 EUR
50+ 18.24 EUR
100+ 16.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TPH3206PSBTransphormMOSFET 650V, 150mO
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TPH3206PSBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
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Produkt ist nicht verfügbar
TPH3207WSTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
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Produkt ist nicht verfügbar
TPH3208LDTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Produkt ist nicht verfügbar
TPH3208LDGTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
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Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+26.18 EUR
TPH3208LSTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
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Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
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Produkt ist nicht verfügbar
TPH3208LSGTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
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Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
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Produkt ist nicht verfügbar
TPH3208PDTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3208PSTransphormMOSFET GAN FET 650V 20A TO220
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TPH3208PSTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3212PSTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 400uA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3212PSTransphormMOSFET GAN FET 650V 27A TO220
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TPH3300CNH,L1QToshibaMOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS150V
auf Bestellung 2437 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.94 EUR
22+ 2.4 EUR
100+ 1.87 EUR
500+ 1.58 EUR
1000+ 1.21 EUR
2500+ 1.2 EUR
5000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 18
TPH3300CNH,L1QToshibaTPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.87 EUR
103+ 1.48 EUR
104+ 1.41 EUR
131+ 1.07 EUR
250+ 1.02 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.59 EUR
3000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 84
TPH3300CNH,L1QToshibaTPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.53 EUR
104+ 1.46 EUR
131+ 1.11 EUR
250+ 1.06 EUR
500+ 0.85 EUR
1000+ 0.61 EUR
3000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 103
TPH3300CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3300CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
auf Bestellung 13215 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+2.94 EUR
11+ 2.39 EUR
100+ 1.86 EUR
500+ 1.58 EUR
1000+ 1.28 EUR
2000+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TPH3300CNH,L1QToshibaTPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3300CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
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auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.15 EUR
10000+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH3300CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 112
TPH3300CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3300CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.028 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 12746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH3300CNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3300CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.028 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 12746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH3300CNHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R003PL,LQToshibaMOSFET N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W
auf Bestellung 9428 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TPH3R003PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R003PL,LQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 134A; Idm: 200A; 90W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.2mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 90W
Drain current: 134A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 200A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 0.0022 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH3R003PL,LQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 134A; Idm: 200A; 90W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.2mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 90W
Drain current: 134A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 200A
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R003PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R003PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 134 A, 0.0022 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH3R003PL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 134A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R10AQM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R10AQM,LQToshibaTPH3R10AQM,LQ
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R10AQM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
auf Bestellung 7073 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.9 EUR
10+ 3.23 EUR
100+ 2.57 EUR
500+ 2.18 EUR
1000+ 1.85 EUR
2000+ 1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TPH3R10AQM,LQToshibaMOSFET 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm
auf Bestellung 6992 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.93 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.6 EUR
250+ 2.39 EUR
500+ 2.17 EUR
1000+ 1.93 EUR
5000+ 1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TPH3R10AQM,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R10AQM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0025 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 4662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH3R10AQM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R10AQM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0025 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 4662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH3R10AQMLQ(M1ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R203NL
auf Bestellung 6600 Stücke:
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TPH3R203NL,L1QToshibaMOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
auf Bestellung 2891 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.94 EUR
22+ 2.39 EUR
100+ 1.85 EUR
500+ 1.57 EUR
1000+ 1.21 EUR
5000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 18
TPH3R203NL,L1QToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS 4-H) 30V 47A TPH3R203NL,L1Q TOSHIBA TTPH3r203nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 30
TPH3R203NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH3R203NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
auf Bestellung 8479 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.86 EUR
12+ 2.34 EUR
100+ 1.82 EUR
500+ 1.54 EUR
1000+ 1.26 EUR
2000+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TPH3R203NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 0.0027 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH3R203NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 84A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.81 EUR
220+ 0.69 EUR
230+ 0.63 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 193
TPH3R203NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 84A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R203NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 0.0027 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH3R203NLL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R506PLToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R506PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 94A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R506PL,LQToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R506PL,LQ(SToshibaTPH3R506PL,LQ(S
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.62 EUR
102+ 1.49 EUR
250+ 1.38 EUR
500+ 1.28 EUR
1000+ 1.18 EUR
2500+ 1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 97
TPH3R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH3R506PL,LQ(SToshibaTPH3R506PL,LQ(S
auf Bestellung 5780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.53 EUR
110+ 1.37 EUR
131+ 1.11 EUR
200+ 1.01 EUR
500+ 0.97 EUR
1000+ 0.84 EUR
2000+ 0.76 EUR
3000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 102
TPH3R506PL,LQ(SToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH3R506PLLQ(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R704PC,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TPH3R704PC,LQToshibaMOSFET SOP-ADV PD=90W 1MHz PWR MOSFET TRNS
auf Bestellung 1312 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
24+2.25 EUR
29+ 1.86 EUR
100+ 1.45 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 1 EUR
3000+ 0.94 EUR
6000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 24
TPH3R704PC,LQToshibaPb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-ADV PD=90W F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R704PC,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 82A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3615 pF @ 20 V
auf Bestellung 5155 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.26 EUR
15+ 1.85 EUR
100+ 1.44 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TPH3R704PC,LQ(SToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
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TPH3R704PLToshibaToshiba
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TPH3R704PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.2 EUR
132+ 1.15 EUR
192+ 0.76 EUR
250+ 0.72 EUR
500+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 131
TPH3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+0.78 EUR
10000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH3R704PL,L1QToshibaMOSFET 40 Volt N-Channel
auf Bestellung 4265 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.15 EUR
28+ 1.9 EUR
100+ 1.31 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 0.83 EUR
5000+ 0.79 EUR
10000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 25
TPH3R704PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R704PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.37 EUR
131+ 1.16 EUR
132+ 1.1 EUR
192+ 0.73 EUR
250+ 0.69 EUR
500+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 114
TPH3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
auf Bestellung 122492 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.18 EUR
14+ 1.88 EUR
100+ 1.3 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 0.93 EUR
2000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TPH3R704PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
auf Bestellung 3897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+0.81 EUR
250+ 0.75 EUR
500+ 0.69 EUR
1000+ 0.64 EUR
2500+ 0.6 EUR
5000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 194
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R704PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
auf Bestellung 3897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH3R704PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.83 EUR
210+ 0.72 EUR
218+ 0.67 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 189
TPH3R704PLL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
auf Bestellung 8615 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.77 EUR
10+ 3.14 EUR
100+ 2.5 EUR
500+ 2.11 EUR
1000+ 1.79 EUR
2000+ 1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TPH3R70APL,L1QToshibaX35 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=170W F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R70APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH3R70APL,L1QToshibaMOSFET PWR MOS PD=170W F=1MHZ
auf Bestellung 27643 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.8 EUR
17+ 3.17 EUR
100+ 2.51 EUR
250+ 2.47 EUR
500+ 2.11 EUR
1000+ 1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TPH3R70APL,L1Q(MToshibaMOSFET N-CH Si 100V 150A T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R70APL,L1Q(MToshibaMOSFET N-CH Si 100V 150A T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.27 EUR
15000+ 1.12 EUR
30000+ 1.01 EUR
45000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH3R70APL,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R70APL1,LQToshibaMOSFET 100V U-MOS IX-H SOP-Advance(N) 3.7mohm
auf Bestellung 9907 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.64 EUR
17+ 3.07 EUR
100+ 2.54 EUR
500+ 2.29 EUR
1000+ 2.12 EUR
5000+ 1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TPH3R70APL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.03 EUR
10+ 3.29 EUR
100+ 2.56 EUR
500+ 2.17 EUR
1000+ 1.77 EUR
2000+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TPH3R70APL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.59 EUR
10000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH3R70APL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH3R70APL1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH3R70APL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH3R70APL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0031 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH3R70APLL1Q(MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R003NL,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 30V 68A 6.8nC MOSFET
auf Bestellung 2906 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TPH4R003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP
auf Bestellung 4249 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.65 EUR
11+ 2.37 EUR
100+ 1.85 EUR
500+ 1.53 EUR
1000+ 1.21 EUR
2000+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TPH4R003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 68A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R003NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.0034 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH4R003NL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R003NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 68 A, 0.0034 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH4R008NHToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
auf Bestellung 12436 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+6.42 EUR
10+ 5.4 EUR
100+ 4.37 EUR
500+ 3.88 EUR
1000+ 3.33 EUR
2000+ 3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TPH4R008NH,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 80V 100A 59nC MOSFET
auf Bestellung 4667 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.47 EUR
10+ 5.43 EUR
25+ 5.15 EUR
100+ 4.39 EUR
250+ 4.16 EUR
500+ 3.93 EUR
1000+ 3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TPH4R008NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH4R008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 995000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.96 EUR
245000+ 0.85 EUR
490000+ 0.76 EUR
735000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH4R008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R008NH,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R008NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH4R008NH1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
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TPH4R008NH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008NH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
auf Bestellung 1241 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH4R008NH1LQToshibaToshiba 80V U-MOS VIII-H SOP-ADVANCE
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TPH4R008NH1LQ(MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R008NHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R008NHLQ(M1ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R008QM,LQToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8
auf Bestellung 7901 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.94 EUR
21+ 2.49 EUR
100+ 1.98 EUR
500+ 1.83 EUR
5000+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 18
TPH4R008QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V
auf Bestellung 4934 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.51 EUR
10+ 3.14 EUR
100+ 2.45 EUR
500+ 2.02 EUR
1000+ 1.6 EUR
2000+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPH4R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH4R008QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH4R10ANLToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R10ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
auf Bestellung 6221 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.82 EUR
10+ 3.17 EUR
100+ 2.52 EUR
500+ 2.14 EUR
1000+ 1.81 EUR
2000+ 1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TPH4R10ANL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R10ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH4R10ANL,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 100V 92A 75nC MOSFET
auf Bestellung 28134 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.82 EUR
17+ 3.2 EUR
100+ 2.54 EUR
250+ 2.35 EUR
500+ 2.13 EUR
1000+ 1.82 EUR
2500+ 1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TPH4R10ANL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R10ANL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R10ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
auf Bestellung 7553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH4R10ANL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.44 EUR
71+ 2.13 EUR
100+ 1.68 EUR
200+ 1.51 EUR
500+ 1.45 EUR
1000+ 1.23 EUR
2000+ 1.1 EUR
5000+ 1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 64
TPH4R10ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 67W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
auf Bestellung 7553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH4R10ANL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; 67W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 67W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R10ANL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; 67W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 67W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R10ANLL1Q(MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
auf Bestellung 7986 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.97 EUR
10+ 6.26 EUR
100+ 5.13 EUR
500+ 4.36 EUR
1000+ 3.68 EUR
2000+ 3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TPH4R50ANH,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
auf Bestellung 9848 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.81 EUR
10+ 6.14 EUR
100+ 5.02 EUR
500+ 4.29 EUR
1000+ 3.43 EUR
5000+ 3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPH4R50ANH,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 78W; SOP8A
Mounting: SMD
Case: SOP8A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R50ANH,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 78W; SOP8A
Mounting: SMD
Case: SOP8A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R50ANH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 93A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH4R50ANH,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R50ANH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
auf Bestellung 8116 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.64 EUR
10+ 2.99 EUR
100+ 2.32 EUR
500+ 1.97 EUR
1000+ 1.6 EUR
2000+ 1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPH4R50ANH1,LQToshibaMOSFET UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm
auf Bestellung 14779 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.59 EUR
18+ 2.94 EUR
100+ 2.28 EUR
500+ 1.93 EUR
1000+ 1.48 EUR
5000+ 1.41 EUR
10000+ 1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TPH4R50ANH1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH4R50ANH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
auf Bestellung 3710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH4R50ANH1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R50ANH1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
auf Bestellung 3710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH4R606NH,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 60V 85A 49nC MOSFET
auf Bestellung 3630 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.89 EUR
13+ 4.06 EUR
100+ 3.25 EUR
500+ 2.73 EUR
1000+ 2.2 EUR
5000+ 2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 11
TPH4R606NH,L1QTOSHIBATPH4R606NH SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R606NH,L1Q
Produktcode: 179170		IC > IC andere
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R606NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R606NH,L1QToshibaN-MOSFET 60V 32A 1.6W 4.6mΩ TPH4R606NH,L1Q Toshiba TTPH4r606nh
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20
TPH4R606NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R606NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH4R606NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R606NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 85 A, 0.0038 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH4R606NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH4R606NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 85A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 19699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.28 EUR
128+ 1.19 EUR
145+ 1 EUR
200+ 0.92 EUR
500+ 0.84 EUR
1000+ 0.76 EUR
5000+ 0.65 EUR
10000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 123
TPH4R803PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TPH4R803PL,LQToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 26642 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
29+1.81 EUR
34+ 1.57 EUR
100+ 1.09 EUR
500+ 0.91 EUR
1000+ 0.77 EUR
3000+ 0.67 EUR
6000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 29
TPH4R803PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
15+ 1.78 EUR
100+ 1.37 EUR
500+ 1.08 EUR
1000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TPH4R803PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0036 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH4R803PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH4R803PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0036 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH520RCADescription: RCA - TPH520 - Connector A:USB Type A Plug
Kabellänge - Imperial: 6
Mantelfarbe: Black
USB-Version: USB 2.0
Elektronische Kennzeichnung / Markierung: -
Steckverbinder auf Steckverbinder: Type A Plug to Type B Plug
Kabellänge - Metrisch: 1.82
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
TPH5200FNH,L1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 9322 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.89 EUR
10+ 6.19 EUR
100+ 4.99 EUR
500+ 4.11 EUR
1000+ 3.17 EUR
5000+ 3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPH5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH5200FNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.73 EUR
10+ 5.61 EUR
100+ 4.46 EUR
500+ 3.78 EUR
1000+ 3.2 EUR
2000+ 3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TPH5200FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH5200FNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH5200FNH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH5900CNH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH5900CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH5900CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
auf Bestellung 9428 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.29 EUR
14+ 1.89 EUR
100+ 1.47 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 1.01 EUR
2000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TPH5900CNH,L1QToshibaMOSFET UMOSVIII 150V 64mOhm (VGS=10V) SOP-ADV
auf Bestellung 21626 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.35 EUR
28+ 1.92 EUR
100+ 1.5 EUR
500+ 1.27 EUR
1000+ 0.98 EUR
5000+ 0.93 EUR
10000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 23
TPH5900CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 9955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.32 EUR
139+ 1.09 EUR
163+ 0.9 EUR
200+ 0.82 EUR
500+ 0.73 EUR
1000+ 0.66 EUR
5000+ 0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 119
TPH5900CNH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH5900CNHL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH5R60APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.09 EUR
11+ 2.54 EUR
100+ 1.97 EUR
500+ 1.67 EUR
1000+ 1.36 EUR
2000+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TPH5R60APL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH5R60APL,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 3716 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.12 EUR
21+ 2.56 EUR
100+ 2.01 EUR
500+ 1.7 EUR
1000+ 1.39 EUR
2500+ 1.31 EUR
5000+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TPH5R60APL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH5R60APL,L1Q(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH5R60APL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R60APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0047 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH5R906NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
auf Bestellung 24969 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.95 EUR
10+ 3.27 EUR
100+ 2.6 EUR
500+ 2.2 EUR
1000+ 1.87 EUR
2000+ 1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TPH5R906NH,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC MOSFET
auf Bestellung 4855 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.29 EUR
14+ 3.87 EUR
100+ 3.09 EUR
500+ 2.57 EUR
1000+ 2.07 EUR
2500+ 1.97 EUR
5000+ 1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TPH5R906NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.71 EUR
10000+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH5R906NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 71A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH5R906NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH5R906NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH5R906NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH6400ENH,L1HQ(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH6400ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.73 EUR
10000+ 1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH6400ENH,L1QToshibaMOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V
auf Bestellung 12064 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.06 EUR
15+ 3.64 EUR
100+ 2.94 EUR
500+ 2.41 EUR
1000+ 1.87 EUR
2500+ 1.85 EUR
5000+ 1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TPH6400ENH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH6400ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 17976 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.98 EUR
10+ 3.32 EUR
100+ 2.64 EUR
500+ 2.23 EUR
1000+ 1.89 EUR
2000+ 1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TPH6400ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 11018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH6400ENH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH6400ENH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6400ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 11018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH6R003NLToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH6R003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH6R003NL,LQToshibaMOSFET N-Ch DTMOS VII-H 34W 1050pF 57A 30V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH6R003NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.16 EUR
15+ 1.76 EUR
100+ 1.37 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TPH6R003NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH6R003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TPH6R003NL,LQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 57A; Idm: 117A; 34W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 34W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TPH6R003NL,LQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 57A; Idm: 117A; 34W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 34W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TPH6R003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 0.0052 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH6R003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TPH6R003NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 0.0052 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH6R003NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 57A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH6R004PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
15+1.82 EUR
17+ 1.57 EUR
100+ 1.09 EUR
500+ 0.91 EUR
1000+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TPH6R004PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH6R004PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 49A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH6R004PL,LQToshibaMOSFET N-Ch 40V 2100pF 30nC 87A 81W
auf Bestellung 20865 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
29+1.84 EUR
33+ 1.6 EUR
100+ 1.1 EUR
500+ 0.92 EUR
1000+ 0.78 EUR
3000+ 0.69 EUR
6000+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 29
TPH6R004PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R004PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH6R004PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R004PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 0.0048 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH6R004PL,LQ(SToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH6R30ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
auf Bestellung 4946 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+2.63 EUR
13+ 2.15 EUR
100+ 1.67 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.16 EUR
2000+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TPH6R30ANL,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 100V 66A 55nC MOSFET
auf Bestellung 9866 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
20+2.7 EUR
22+ 2.43 EUR
100+ 1.88 EUR
500+ 1.56 EUR
1000+ 1.16 EUR
2500+ 1.15 EUR
5000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 20
TPH6R30ANL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH6R30ANL,L1Q(MToshibaSilicon N-channel MOSFETs
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH6R30ANL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 54W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 54W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Produkt ist nicht verfügbar
TPH6R30ANL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH6R30ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 0.0051 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH6R30ANL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 54W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 54W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TPH707KK
Produktcode: 21611		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Eckverbindung der Tischplatten 1100х1100 mm, Belastung 150 kg
Produkt ist nicht verfügbar
TPH707KK ESD
Produktcode: 21612		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Eckverbindung der Tischplatten 1100х1100 mm, Belastung 150 kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
TPH712
Produktcode: 21222		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch mit Regalen, 700х1200mm, Höhe der Arbeitsfläche 650-900mm, verstellbare Zwischenböden 1080-1550mm,Belastung 300 kg,
Produkt ist nicht verfügbar
TPH712 ESD
Produktcode: 21223		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch mit Regalen, 700х1200mm, Höhe der Arbeitsfläche 650-900mm, verstellbare Zwischenböden 1080-1550mm, Belastung 300 kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
TPH712 L
Produktcode: 21548		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch entlang angestückt mit Regalen 700х1200, Höhe der Arbeitsfläche 650-900 mm, Belastung 150 kg
Produkt ist nicht verfügbar
TPH712L ESD
Produktcode: 21585		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch entlang angestückt, mit Regalen 700х1200, Höhe der Arbeitsfläche 650-900 mm, Belastung 150 kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
TPH715 ESD
Produktcode: 21225		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch mit Regalen, 700х1500mm, Höhe der Arbeitsfläche 650-900mm, verstellbare Zwischenböden 1080-1550mm, Belastung 300 kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
TPH715 L
Produktcode: 21549		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch entlang angestückt mit Regalen 700х1500, Höhe der Arbeitsfläche 650-900 mm, Belastung 150 kg
Produkt ist nicht verfügbar
TPH715-3
Produktcode: 106391		TrestonWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: TRESTON
verfügbar 2 Stück:
TPH715L ESD
Produktcode: 21586		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch entlang angestückt, mit Regalen 700х1500, Höhe der Arbeitsfläche 650-900 mm, Belastung 150 kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
TPH718
Produktcode: 21226		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch mit Regalen, 700х1800mm, Höhe der Arbeitsfläche 650-900mm, verstellbare Zwischenböden 1080-1550mm, Belastung 300 kg
Produkt ist nicht verfügbar
TPH718 ESD
Produktcode: 21227		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch mit Regalen, 700х1800mm, Höhe der Arbeitsfläche 650-900mm, verstellbare Zwischenböden 1080-1550mm, Belastung 300 kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
TPH718 L
Produktcode: 21550		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch entlang angestückt mit Regalen 700х1800, Höhe der Arbeitsfläche 650-900 mm, Belastung 150 kg
Produkt ist nicht verfügbar
TPH718L ESD
Produktcode: 21587		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch entlang angestückt, mit Regalen 700х1800, Höhe der Arbeitsfläche 650-900 mm, Belastung 150 kg, antistatisch
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TPH7R006PL,L1QToshibaMOSFET N-Ch 60V 1440pF 27nC 79A 81W
auf Bestellung 14622 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
28+1.91 EUR
31+ 1.69 EUR
100+ 1.16 EUR
500+ 0.97 EUR
1000+ 0.74 EUR
5000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 28
TPH7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
auf Bestellung 23427 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.95 EUR
16+ 1.68 EUR
100+ 1.16 EUR
500+ 0.97 EUR
1000+ 0.83 EUR
2000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TPH7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+0.7 EUR
10000+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH7R006PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH7R006PL,L1Q(MToshibaTRANSISTOR/NFET 60V 64A POWERPAK SO8 6.6
Produkt ist nicht verfügbar
TPH7R006PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0054 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 81W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH7R204PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.57 EUR
6000+ 0.54 EUR
9000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TPH7R204PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH7R204PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 48A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
auf Bestellung 12214 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
18+1.48 EUR
21+ 1.29 EUR
100+ 0.89 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 18
TPH7R204PL,LQToshibaMOSFET N-Ch 40V 1570pF 24.4nC 50A 36W
auf Bestellung 30282 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
39+1.35 EUR
45+ 1.18 EUR
100+ 0.84 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.62 EUR
3000+ 0.57 EUR
6000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 39
TPH7R204PL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 72A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
456+0.34 EUR
464+ 0.32 EUR
466+ 0.31 EUR
468+ 0.3 EUR
471+ 0.28 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 456
TPH7R204PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R204PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 72 A, 0.0054 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH7R204PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R204PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 72 A, 0.0054 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH7R506NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.34 EUR
10000+ 1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH7R506NH,L1QToshibaMOSFET U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET
auf Bestellung 19324 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.38 EUR
19+ 2.78 EUR
100+ 2.18 EUR
500+ 1.85 EUR
1000+ 1.42 EUR
2500+ 1.41 EUR
5000+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TPH7R506NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 30 V
auf Bestellung 26187 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.41 EUR
10+ 2.78 EUR
100+ 2.16 EUR
500+ 1.83 EUR
1000+ 1.49 EUR
2000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPH7R506NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.0061 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH7R506NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 55A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH7R506NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.0061 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH8R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
auf Bestellung 9970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.77 EUR
10+ 3.38 EUR
100+ 2.72 EUR
500+ 2.23 EUR
1000+ 1.85 EUR
2000+ 1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TPH8R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH8R008NH,L1QToshibaMOSFET N-Ch 80V 2300pF 35nC 8.0mOhm 63A 61W
Produkt ist nicht verfügbar
TPH8R008NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 63A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH8R808QM,LQToshibaMOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm
Produkt ist nicht verfügbar
TPH8R808QMLQ(M1ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPH8R80ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
auf Bestellung 29944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.42 EUR
10+ 3.98 EUR
100+ 3.2 EUR
500+ 2.63 EUR
1000+ 2.18 EUR
2000+ 2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TPH8R80ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 50 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.95 EUR
10000+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH8R80ANH,L1QToshibaMOSFET N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC
auf Bestellung 9995 Stücke:
Lieferzeit 580-594 Tag (e)
13+4.32 EUR
14+ 3.87 EUR
100+ 3.12 EUR
500+ 2.57 EUR
1000+ 2.13 EUR
2500+ 1.98 EUR
5000+ 1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TPH8R80ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH8R80ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0074 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 61W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH8R80ANH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 59A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH8R80ANH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH8R80ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0074 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH8R903NL,LQToshibaMOSFET N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V
auf Bestellung 2531 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
27+1.96 EUR
31+ 1.71 EUR
100+ 1.18 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.84 EUR
3000+ 0.75 EUR
6000+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 27
TPH8R903NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
auf Bestellung 3170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.95 EUR
16+ 1.7 EUR
100+ 1.17 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TPH8R903NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPH8R903NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 38A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPH8R903NL,LQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 38A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.12 EUR
286+ 0.53 EUR
313+ 0.46 EUR
314+ 0.44 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.31 EUR
2000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 140
TPH8R903NLLQ(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPH909KK
Produktcode: 21615		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Eckverbindung der Tischplatten 1300х1300 mm, Belastung 150 kg
Produkt ist nicht verfügbar
TPH909KK ESD
Produktcode: 21616		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Eckverbindung der Tischplatten 1300х1300 mm, Belastung 150 kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
TPH915
Produktcode: 21228		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch mit Regalen, 900х1500mm, Höhe der Arbeitsfläche 650-900mm, verstellbare Zwischenböden 1080-1550mm, Belastung 300 kg
Produkt ist nicht verfügbar
TPH915 ESD
Produktcode: 21229		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch mit Regalen, 900х1500mm, Höhe der Arbeitsfläche 650-900mm, verstellbare Zwischenböden 1080-1550mm, Belastung 300 kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
TPH915L
Produktcode: 21588		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch entlang angestückt, mit Regalen 900х1500, Höhe der Arbeitsfläche 650-900 mm, Belastung 150 kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
TPH915L ESD
Produktcode: 21589		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch entlang angestückt, mit Regalen 900х1500, Höhe der Arbeitsfläche 650-900 mm, Belastung 150 kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
TPH918
Produktcode: 21230		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch mit Regalen, 900х1800mm, Höhe der Arbeitsfläche 650-900mm, verstellbare Zwischenböden 1080-1550mm, Belastung 300 kg
Produkt ist nicht verfügbar
TPH918 ESD
Produktcode: 21231		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch mit Regalen, 900х1800mm, Höhe der Arbeitsfläche 650-900mm, verstellbare Zwischenböden 1080-1550mm, Belastung 300 kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
TPH918 L
Produktcode: 21551		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch entlang angestückt mit Regalen 900х1800, Höhe der Arbeitsfläche 650-900 mm, Belastung 150 kg
Produkt ist nicht verfügbar
TPH918L ESD
Produktcode: 21590		TRESTONWerkzeuge und Geräte > Industriemöbel Treston
TRESTON: Montagetisch entlang angestückt, mit Regalen 900х1800, Höhe der Arbeitsfläche 650-900 mm, Belastung 150 kg, antistatisch
Produkt ist nicht verfügbar
TPH9R00CQ5,LQToshibaMOSFET 150V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 9mohm
auf Bestellung 9715 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.88 EUR
11+ 4.89 EUR
100+ 3.9 EUR
250+ 3.59 EUR
500+ 3.28 EUR
1000+ 2.83 EUR
5000+ 2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TPH9R00CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.98 EUR
10+ 4.97 EUR
100+ 3.95 EUR
500+ 3.35 EUR
1000+ 2.84 EUR
2000+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TPH9R00CQ5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH9R00CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH9R00CQ5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH9R00CQ5,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPH9R00CQH,LQToshibaMOSFET
auf Bestellung 21220 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.32 EUR
15+ 3.61 EUR
100+ 2.89 EUR
250+ 2.65 EUR
500+ 2.39 EUR
1000+ 2.16 EUR
5000+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TPH9R00CQH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPH9R00CQH,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 75 V
auf Bestellung 9131 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.58 EUR
10+ 3.8 EUR
100+ 3.02 EUR
500+ 2.56 EUR
1000+ 2.17 EUR
2000+ 2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TPH9R00CQH,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 4521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH9R00CQH,LQ(M1ToshibaTPH9R00CQH,LQ(M1
Produkt ist nicht verfügbar
TPH9R00CQH,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 4521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH9R506PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.73 EUR
6000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TPH9R506PL,LQToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
auf Bestellung 14247 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.26 EUR
27+ 1.99 EUR
100+ 1.53 EUR
500+ 1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 23
TPH9R506PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 34A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 30 V
auf Bestellung 7809 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
14+1.92 EUR
16+ 1.66 EUR
100+ 1.15 EUR
500+ 0.96 EUR
1000+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TPH9R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 68 A, 0.0073 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH9R506PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH9R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 68 A, 0.0073 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPH9R506PL,LQ(SToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPHCS-B-EBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories TPHCS BASE
Produkt ist nicht verfügbar
TPHCS-B-EEaton BussmannDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
TPHCS-B-EAVEatonDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPHCS-B-EAVBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories TPHCS 800 AMP BASE
Produkt ist nicht verfügbar
TPHCS-B-ELBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories TPHCS BASE
Produkt ist nicht verfügbar
TPHCS-B-ELEaton BussmannDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
TPHCS-B-MEaton BussmannDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
TPHCS-B-MAVBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories TPHCS 800 AMP BASE
Produkt ist nicht verfügbar
TPHCS-B-MAVEatonDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPHCS-B-MLEaton BussmannDescription: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH
Produkt ist nicht verfügbar
TPHCS-B-MLBussmann / EatonCircuit Breaker Accessories TPHCS BASE
Produkt ist nicht verfügbar
TPHCS250-EEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 250 A
Number of Circuits: 1
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TPHCS250-EBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
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TPHCS250-EAVEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE
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TPHCS250-EAVBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
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TPHCS250-ELEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 250 A
Number of Circuits: 1
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TPHCS250-ELBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
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TPHCS250-MBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
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TPHCS250-MEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 250 A
Number of Circuits: 1
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TPHCS250-MAVEatonDescription: FUSE HLDR BLADE
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPHCS250-MAVBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
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TPHCS250-MLEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 250 A
Number of Circuits: 1
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TPHCS250-MLBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
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TPHCS250-PEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1" Dia x 2.657" L (25.4mm x 67.5mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 250 A
Number of Circuits: 1
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TPHCS250-PBussmann / EatonFuse Holder TPHCS70-250A PULLOUT
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TPHCS800-EEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 800 A
Number of Circuits: 1
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TPHCS800-EBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
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TPHCS800-EAVEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE
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TPHCS800-EAVBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
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TPHCS800-ELEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 800 A
Number of Circuits: 1
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TPHCS800-ELBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
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TPHCS800-MEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 800 A
Number of Circuits: 1
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TPHCS800-MBussmann / EatonFuse Holder DISCN. SWITCH 800A METRIC
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TPHCS800-MAVEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE
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TPHCS800-MAVBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
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TPHCS800-MLEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 800 A
Number of Circuits: 1
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TPHCS800-MLBussmann / EatonFuse Holder HIGH CURRENT SWITCH
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TPHCS800-PEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS
Packaging: Bulk
Contact Finish: Tin
For Use With/Related Products: Bolt Mount Cartridge Fuses
Fuse Type: Blade
Voltage: 80V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Fuse Size: 1.496" Dia x 3.5" L (38mm x 88.9mm)
Contact Material: Copper
Fuseholder Type: Holder
Current Rating (Amps): 800 A
Number of Circuits: 1
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TPHCS800-PBussmann / EatonFuse Holder TPHCS 300-800A PULLOUT
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TPHD4-313-36A
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TPHR6503PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
auf Bestellung 38902 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.76 EUR
10+ 3.96 EUR
100+ 3.15 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.26 EUR
2000+ 2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TPHR6503PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPHR6503PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.07 EUR
10000+ 2 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPHR6503PL,L1QToshibaMOSFET 30 Volt N-Channel
auf Bestellung 24389 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+4.78 EUR
14+ 3.98 EUR
100+ 3.17 EUR
250+ 2.94 EUR
500+ 2.63 EUR
1000+ 2.28 EUR
2500+ 2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 11
TPHR6503PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPHR6503PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 393A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPHR6503PL,LQ(M1ToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR6503PL1,LQToshibaMOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)
auf Bestellung 38094 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.07 EUR
13+ 4.21 EUR
100+ 3.35 EUR
250+ 3.28 EUR
500+ 2.83 EUR
1000+ 2.29 EUR
2500+ 2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 11
TPHR6503PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
auf Bestellung 2154 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.1 EUR
10+ 4.22 EUR
100+ 3.36 EUR
500+ 2.84 EUR
1000+ 2.41 EUR
2000+ 2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TPHR6503PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR6503PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 410
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPHR6503PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR6503PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 420 A, 0.00041 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 410
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPHR6503PL1LQ(MToshibaToshiba
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TPHR6503PLL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR6503PLLQ(M1ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR7404PU L1QToshibaToshiba N-CH 40V SOP ADV
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR7404PU,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR7404PU,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 400A
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR7404PU,L1Q(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR7404PU,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPHR7404PU,L1Q(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR7404PU,L1Q(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: 40V UMOS9 S 0.65MOHM SOP-ADV(N)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR7404PU,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR7404PU,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 400 A, 510 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 510µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPHR7404PUL1Q(MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR7904PB,L1Q(OToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR7904PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
auf Bestellung 15241 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.5 EUR
10+ 5.41 EUR
100+ 4.3 EUR
500+ 3.64 EUR
1000+ 3.09 EUR
2000+ 2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TPHR7904PB,L1XHQToshibaMOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
auf Bestellung 9137 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.55 EUR
10+ 5.46 EUR
100+ 4.34 EUR
250+ 4.32 EUR
500+ 3.67 EUR
1000+ 2.96 EUR
5000+ 2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPHR7904PB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPHR7904PBL1Q(OToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR8504PL
Produktcode: 144412		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR8504PLToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR8504PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+2.86 EUR
66+ 2.28 EUR
67+ 2.18 EUR
100+ 1.65 EUR
250+ 1.44 EUR
500+ 1.26 EUR
1000+ 1.1 EUR
3000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 55
TPHR8504PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPHR8504PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+2.86 EUR
66+ 2.28 EUR
67+ 2.18 EUR
100+ 1.65 EUR
250+ 1.44 EUR
500+ 1.26 EUR
1000+ 1.1 EUR
3000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 55
TPHR8504PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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5000+1.26 EUR
10000+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPHR8504PL,L1QToshibaMOSFET 40 Volt N-Channel
auf Bestellung 35646 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.5 EUR
15+ 3.69 EUR
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250+ 2.78 EUR
500+ 2.47 EUR
1000+ 2.01 EUR
2500+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TPHR8504PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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5000+1.26 EUR
10000+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPHR8504PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
auf Bestellung 5871 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.5 EUR
10+ 3.73 EUR
100+ 2.96 EUR
500+ 2.51 EUR
1000+ 2.13 EUR
2000+ 2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TPHR8504PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR8504PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; 170W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Power dissipation: 170W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR8504PL,L1Q(MTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; 170W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Power dissipation: 170W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR8504PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR8504PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR8504PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0007 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 210W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 700µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm
auf Bestellung 6843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPHR8504PL1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR8504PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR8504PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0007 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0007ohm
auf Bestellung 6843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPHR8504PL1,LQ(MWToshibaHALBLEITERBAUELEMENT, TRANSISTOR, MOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR8504PL1LQ(MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR8504PL1LQ(MWToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR8504PLL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9003NCToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9003NLToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9003NLTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 78W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 78W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
23+ 3.2 EUR
28+ 2.62 EUR
29+ 2.47 EUR
500+ 2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 20
TPHR9003NLTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 78W; SOP8A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 78W
Case: SOP8A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.58 EUR
23+ 3.2 EUR
28+ 2.62 EUR
29+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
TPHR9003NL,L1Q
Produktcode: 128207		IC > IC andere
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9003NL,L1QToshibaMOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
auf Bestellung 5782 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
11+5.12 EUR
13+ 4.26 EUR
100+ 3.38 EUR
250+ 3.12 EUR
500+ 2.83 EUR
1000+ 2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 11
TPHR9003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+2.22 EUR
10000+ 2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPHR9003NL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
auf Bestellung 12302 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+5.12 EUR
10+ 4.25 EUR
100+ 3.38 EUR
500+ 2.86 EUR
1000+ 2.43 EUR
2000+ 2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TPHR9003NL,L1Q(MToshibaN-MOSFET 30V 60A 1.6W 0.9mΩ TPHR9003NL,L1Q Toshiba TTPHR9003nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TPHR9003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.81 EUR
10000+ 1.67 EUR
20000+ 1.57 EUR
25000+ 1.48 EUR
30000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPHR9003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPHR9003NL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.81 EUR
10000+ 1.68 EUR
20000+ 1.57 EUR
25000+ 1.49 EUR
30000+ 1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPHR9003NL,LQ(M1ToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9003NL,LQ(M1ToshibaTPHR9003NL,LQ(M1
auf Bestellung 4997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.03 EUR
83+ 1.83 EUR
100+ 1.48 EUR
200+ 1.35 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.12 EUR
2000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 77
TPHR9003NL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
auf Bestellung 11354 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.67 EUR
10+ 3.04 EUR
100+ 2.42 EUR
500+ 2.05 EUR
1000+ 1.74 EUR
2000+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPHR9003NL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 320A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9003NL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPHR9003NL1,LQToshibaMOSFET UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)
auf Bestellung 23048 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.69 EUR
17+ 3.07 EUR
100+ 2.44 EUR
250+ 2.38 EUR
500+ 2.04 EUR
1000+ 1.66 EUR
5000+ 1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TPHR9003NL1,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 320A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9003NL1,LQ(MToshibaMOSFET SOP-8 SINGLE
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9003NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.00077 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00077ohm
auf Bestellung 4844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPHR9003NL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9003NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.00077 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 770µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00077ohm
auf Bestellung 4844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPHR9003NL1LQ(MToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9003NLL1Q(MToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9003NLL1Q(M-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9003NLLQ(M1ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9203PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
auf Bestellung 4894 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.77 EUR
10+ 3.08 EUR
100+ 2.4 EUR
500+ 2.03 EUR
1000+ 1.66 EUR
2000+ 1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TPHR9203PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.69 EUR
102+ 1.49 EUR
103+ 1.42 EUR
115+ 1.22 EUR
250+ 1.16 EUR
500+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 93
TPHR9203PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9203PL,L1QToshibaMOSFET N-Ch 30V 5800pF 81nC 280A 132W
auf Bestellung 5223 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.8 EUR
17+ 3.12 EUR
100+ 2.41 EUR
500+ 2.05 EUR
1000+ 1.57 EUR
5000+ 1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TPHR9203PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9203PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9203PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 1551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.6 EUR
103+ 1.47 EUR
115+ 1.27 EUR
200+ 1.17 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 98
TPHR9203PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 280A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9203PL1,LQToshibaMOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)
auf Bestellung 41317 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.98 EUR
16+ 3.28 EUR
100+ 2.54 EUR
500+ 2.15 EUR
1000+ 1.65 EUR
5000+ 1.57 EUR
10000+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TPHR9203PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
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6+4.47 EUR
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100+ 3.11 EUR
500+ 2.57 EUR
1000+ 2.03 EUR
2000+ 1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TPHR9203PL1,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
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5000+1.8 EUR
10000+ 1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
TPHR9203PL1,LQ(MToshibaLVMOS SOP-8-ADV
Produkt ist nicht verfügbar
TPHR9203PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPHR9203PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPHR9203PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 320 A, 610 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4970 Stücke:
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TPHR9203PLL1Q(MToshibaToshiba
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