| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 60+ | 2.98 EUR |
| 100+ | 2.8 EUR |
| 250+ | 2.63 EUR |
| 500+ | 2.48 EUR |
| 1000+ | 2.36 EUR |
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Technische Details TPH9R00CQ5,LQ(M1 Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 7300 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 210W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm.
Weitere Produktangebote TPH9R00CQ5,LQ(M1 nach Preis ab 2.65 EUR bis 7.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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TPH9R00CQ5,LQ(M1 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 7300 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 210W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm |
auf Bestellung 4373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TPH9R00CQ5,LQ(M1 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 7300 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 210W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm |
auf Bestellung 4373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPH9R00CQ5,LQ(M1 |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 7300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 7300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.45 EUR |
| 500+ | 2.89 EUR |
| 1000+ | 2.65 EUR |
| TPH9R00CQ5,LQ(M1 |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 7300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQ5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 7300 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
auf Bestellung 4373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.75 EUR |
| 48+ | 4.91 EUR |
| 100+ | 3.45 EUR |
| 500+ | 2.89 EUR |
| 1000+ | 2.65 EUR |