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TPHR9003NL,L1Q

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TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL,L1Q Toshiba tphr9003nl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 285000 Stücke:
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TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL,L1Q Toshiba tphr9003nl_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
auf Bestellung 3708 Stücke:
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5+5.21 EUR
10+3.38 EUR
100+2.33 EUR
500+1.94 EUR
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TPHR9003NL,L1Q TPHR9003NL,L1Q Toshiba TPHR9003NL_datasheet_en_20191018.pdf?did=13936&prodName=TPHR9003NL MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 220A 8-Pin SOP Advance T/R
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TPHR9003NL,L1Q
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
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Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
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TPHR9003NL,L1Q
Hersteller: Toshiba
MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
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