TPH9R00CQH,LQ(M1 TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4781 Stücke:
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Technische Details TPH9R00CQH,LQ(M1 TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
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Preis ohne MwSt |
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TPH9R00CQH,LQ(M1 | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH9R00CQH,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 64 A, 0.0073 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 4781 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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