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TPHR8504PL,L1Q

TPHR8504PL,L1Q Toshiba

tphr8504pl_datasheet_en_20191024.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
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Technische Details TPHR8504PL,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15221&prodName=TPHR8504PL Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
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TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q Hersteller : Toshiba TPHR8504PL_datasheet_en_20191024-708687.pdf MOSFETs 40 Volt N-Channel
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TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15221&prodName=TPHR8504PL Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
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Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
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