auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 244+ | 0.59 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TPN11003NL,LQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TPN11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 9400 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TPN11003NL,LQ(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TPN11003NL,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TPN11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 9400 µohm, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
TPN11003NL,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPN11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 9400 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
TPN11003NL,LQ(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |