TPN19008QM,LQ(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 57W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
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Technische Details TPN19008QM,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 57W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSX-H Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm.
Weitere Produktangebote TPN19008QM,LQ(S nach Preis ab 1.63 EUR bis 2.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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TPN19008QM,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 57W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPN19008QM,LQ(S |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Produktpalette: U-MOSX-H Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
Description: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
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Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 100+ | 2.8 EUR |
| 142+ | 1.63 EUR |