TPN4R806PL,L1Q(M TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.44 EUR |
| 155+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |
| 1000+ | 1.15 EUR |
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Technische Details TPN4R806PL,L1Q(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 104W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.
Weitere Produktangebote TPN4R806PL,L1Q(M nach Preis ab 1.15 EUR bis 4.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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TPN4R806PL,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 104W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm |
auf Bestellung 4716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPN4R806PL,L1Q(M |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
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Produktpalette: U-MOSIX-H Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 4716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 62+ | 4.05 EUR |
| 96+ | 2.44 EUR |
| 155+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |
| 1000+ | 1.15 EUR |