Technische Details TPS7H6013HBX/EM Texas Instruments
Radiation-Hardness-Assured 200-V, Half Bridge GaN FET Gate Drive.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TPS7H6013HBX/EM | Texas Instruments | Radiation-Hardness-Assured 200-V, Half Bridge GaN FET Gate Drive |
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| TPS7H6013HBX/EM |
Hersteller: Texas Instruments
Radiation-Hardness-Assured 200-V, Half Bridge GaN FET Gate Drive
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