TPW3R70APL,L1Q(M TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details TPW3R70APL,L1Q(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: DSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TPW3R70APL,L1Q(M | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TPW3R70APL,L1Q(M | Hersteller : Toshiba |
 Silicon N-channel MOSFETs |
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