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TPWR8004PL,L1Q

TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=15466&prodName=TPWR8004PL Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DSOP Advance, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V.

Weitere Produktangebote TPWR8004PL,L1Q nach Preis ab 1.48 EUR bis 5.42 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
58+2.56 EUR
63+2.27 EUR
65+2.14 EUR
100+1.86 EUR
250+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
auf Bestellung 315 Stücke:
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58+2.56 EUR
63+2.27 EUR
65+2.14 EUR
100+1.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 58
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TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15466&prodName=TPWR8004PL Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
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500+2.53 EUR
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TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Hersteller : Toshiba TPWR8004PL_datasheet_en_20231218-1150891.pdf MOSFETs N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP
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25+3.77 EUR
100+2.76 EUR
250+2.69 EUR
500+2.41 EUR
1000+2.31 EUR
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TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
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TPWR8004PL,L1Q Hersteller : Toshiba tpwr8004pl_datasheet_en_20191021.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance
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