
TQM019NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Anzahl | Preis |
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Technische Details TQM019NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PDFN56U, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 100A, On-state resistance: 1.9mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 150W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tape, Gate charge: 104nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±16V, Mounting: SMD, Case: PDFN56U.
Weitere Produktangebote TQM019NH04LCR RLG nach Preis ab 2.01 EUR bis 5.56 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TQM019NH04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) |
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TQM019NH04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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TQM019NH04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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TQM019NH04LCR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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TQM019NH04LCR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; PDFN56U Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 1.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tape Gate charge: 104nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Mounting: SMD Case: PDFN56U |
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