TQM300NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.76 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| 1000+ | 2.13 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TQM300NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: PDFN56U, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote TQM300NB06DCR RLG nach Preis ab 0.98 EUR bis 6.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TQM300NB06DCR RLG | Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET |
auf Bestellung 4667 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
TQM300NB06DCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 2394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| TQM300NB06DCR RLG |
![]() |
Hersteller: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET
MOSFETs 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 4667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.44 EUR |
| 10+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| 2500+ | 1.01 EUR |
| 5000+ | 0.98 EUR |
| TQM300NB06DCR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 6.22 EUR |
| 59+ | 3.95 EUR |
| 100+ | 2.76 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| 1000+ | 2.13 EUR |

