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TQM300NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR


TQM300NB06DCR_A2006.pdf
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.76 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.13 EUR
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Technische Details TQM300NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR

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Weitere Produktangebote TQM300NB06DCR RLG nach Preis ab 0.98 EUR bis 6.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TQM300NB06DCR RLG TQM300NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor TQM300NB06DCR_A2006.pdf MOSFETs 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 4667 Stücke:
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10+1.96 EUR
100+1.44 EUR
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1000+1.11 EUR
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TQM300NB06DCR RLG TQM300NB06DCR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM300NB06DCR_A2006.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
1+3.44 EUR
10+1.96 EUR
100+1.44 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.11 EUR
2500+1.01 EUR
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Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
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