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Транзистор IPW60R041P6

Produktcode: 224632
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW60R041P6 IPW60R041P6 Infineon Technologies Infineon_IPW60R041P6_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.59 EUR
10+14.55 EUR
100+12.15 EUR
480+10.78 EUR
1200+10.22 EUR
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IPW60R041P6 IPW60R041P6 Infineon Technologies 60ds_ipw60r041p6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+29.54 EUR
10+28.23 EUR
20+26.87 EUR
50+25.66 EUR
100+24.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IPW60R041P6 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 77.5A; Idm: 267A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 267A
Gate charge: 170nC
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPW60R041P6
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
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AnzahlPrivatkunde
1+20.59 EUR
10+14.55 EUR
100+12.15 EUR
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IPW60R041P6
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
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IPW60R041P6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 77.5A; Idm: 267A; 481W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 267A
Gate charge: 170nC
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