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TRS12A65F,S1Q

TRS12A65F,S1Q Toshiba

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Hersteller: Toshiba
SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY
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Technische Details TRS12A65F,S1Q Toshiba

Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220F2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 650V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220F-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.

Weitere Produktangebote TRS12A65F,S1Q nach Preis ab 5.9 EUR bis 6.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TRS12A65F,S1Q Toshiba docget.jsp?did=66028&prodName=TRS12A65F Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
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