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Technische Details TRS12A65F,S1Q Toshiba
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220F2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 650V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220F-2L, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote TRS12A65F,S1Q nach Preis ab 3.97 EUR bis 7.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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TRS12A65F,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220F2LPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 650V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220F-2L Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V |
auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TRS12A65F,S1Q | Toshiba |
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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TRS12A65F,S1Q | Toshiba |
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TRS12A65F,S1Q |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220F2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220F2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 44pF @ 650V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220F-2L
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.85 EUR |
| 10+ | 5.14 EUR |
| 50+ | 3.97 EUR |
| TRS12A65F,S1Q |
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Hersteller: Toshiba
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TRS12A65F,S1Q |
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Hersteller: Toshiba
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
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