TRS20N65D,S1F Toshiba
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Technische Details TRS20N65D,S1F Toshiba
Description: DIODE ARR SCHOTT 650V 10A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC), Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote TRS20N65D,S1F
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TRS20N65D,S1F | Hersteller : Toshiba |
 Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TRS20N65D,S1F | Hersteller : Toshiba |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TRS20N65D,S1F | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARR SCHOTT 650V 10A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V |
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