TSCDB02120G2H Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 2A 1200V SIC SCHOTTKY DIODE
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 800V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Max: 2 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.95 EUR |
| 12+ | 1.87 EUR |
| 100+ | 1.25 EUR |
| 500+ | 0.99 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
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Technische Details TSCDB02120G2H Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 2A 1200V SIC SCHOTTKY DIODE, Qualification: AEC-Q101, Current - Max: 2 A, Grade: Automotive, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V, Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 800V, 1MHz, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Diode Type: Schottky - Single, Package / Case: DO-214AA, SMB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote TSCDB02120G2H nach Preis ab 1.32 EUR bis 4.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TSCDB02120G2H | Taiwan Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 2A, 1200V, Wide Bandgap SiC Schottky Diode - Automotive Qualified |
auf Bestellung 5284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSCDB02120G2H |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
SiC Schottky Diodes 2A, 1200V, Wide Bandgap SiC Schottky Diode - Automotive Qualified
SiC Schottky Diodes 2A, 1200V, Wide Bandgap SiC Schottky Diode - Automotive Qualified
auf Bestellung 5284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.61 EUR |
| 10+ | 2.92 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.43 EUR |
| 6000+ | 1.32 EUR |