TSCDM10120G2H Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 10A, 1200V, AUTOMOTIVE, SIC SCHO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Max: 10 A
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details TSCDM10120G2H Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 10A, 1200V, AUTOMOTIVE, SIC SCHO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Diode Type: Schottky - Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 800V, 1MHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Grade: Automotive, Current - Max: 10 A, Qualification: AEC-Q101.
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TSCDM10120G2H | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 10A, 1200V, AUTOMOTIVE, SIC SCHO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Diode Type: Schottky - Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 800V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Current - Max: 10 A Qualification: AEC-Q101 |
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TSCDM10120G2H | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 10A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-252-2L (D-PAK-2L) |
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