TSCDT08065G1 Taiwan Semiconductor
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Technische Details TSCDT08065G1 Taiwan Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 39pF @ 400V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote TSCDT08065G1 nach Preis ab 2.9 EUR bis 5.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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TSCDT08065G1 | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 39pF @ 400V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
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TSCDT08065G1 | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
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| TSCDT08065G1 | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Kind of package: tube |
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