TSCDT20120G2H

TSCDT20120G2H Taiwan Semiconductor Corporation


pdf.php?pn=TSCDT20120G2H Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 20A, 1200V, AUTOMOTIVE, SIC SCHO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 72pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Supplier Device Package: TO-220AC
Grade: Automotive
Current - Max: 20 A
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details TSCDT20120G2H Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 20A, 1200V, AUTOMOTIVE, SIC SCHO, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Diode Type: Schottky - Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Capacitance @ Vr, F: 72pF @ 800V, 1MHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V, Supplier Device Package: TO-220AC, Grade: Automotive, Current - Max: 20 A, Qualification: AEC-Q101.

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TSCDT20120G2H TSCDT20120G2H Hersteller : Taiwan Semiconductor pdf.php?pn=TSCDT20120G2H SiC Schottky Diodes 20A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-220AC-2L
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