TSG65N068CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: 650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details TSG65N068CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 30A; Idm: 60A; PDFN88, Type of transistor: N-JFET, Technology: GaN, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: HEMT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 30A, Pulsed drain current: 60A, Case: PDFN88, Gate-source voltage: -10...7V, On-state resistance: 68mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 6.7nC, Kind of package: tape, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.
Weitere Produktangebote TSG65N068CE RVG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| TSG65N068CE RVG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans JFET N-CH 650V 30A GaN |
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TSG65N068CE RVG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR Packaging: Tape & Reel (TR) |
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TSG65N068CE RVG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
GaN FETs 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor |
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| TSG65N068CE RVG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 30A; Idm: 60A; PDFN88 Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 60A Case: PDFN88 Gate-source voltage: -10...7V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
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