TSG65N068CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 45.53 EUR |
| 10+ | 32.89 EUR |
| 50+ | 30.65 EUR |
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Technische Details TSG65N068CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 30A; Idm: 60A; PDFN88, Technology: GaN, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 30A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, Kind of transistor: HEMT, Type of transistor: N-JFET, Gate-source voltage: -10...7V, Kind of package: tape, Case: PDFN88, On-state resistance: 68mΩ, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 60A, Gate charge: 6.7nC, Polarisation: unipolar.
Weitere Produktangebote TSG65N068CE RVG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TSG65N068CE RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TSG65N068CE RVG | Taiwan Semiconductor |
GaN FETs 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TSG65N068CE RVG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 30A; Idm: 60A; PDFN88 Technology: GaN Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Kind of transistor: HEMT Type of transistor: N-JFET Gate-source voltage: -10...7V Kind of package: tape Case: PDFN88 On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 60A Gate charge: 6.7nC Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TSG65N068CE RVG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: 650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TSG65N068CE RVG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
GaN FETs 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
GaN FETs 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
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Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
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| TSG65N068CE RVG |
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Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 30A; Idm: 60A; PDFN88
Technology: GaN
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: HEMT
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -10...7V
Kind of package: tape
Case: PDFN88
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 6.7nC
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 30A; Idm: 60A; PDFN88
Technology: GaN
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: HEMT
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -10...7V
Kind of package: tape
Case: PDFN88
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 6.7nC
Polarisation: unipolar
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