TSG65N068CE RVG

TSG65N068CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation


TSG65N068CE_A2303.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details TSG65N068CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 30A; Idm: 60A; PDFN88, Type of transistor: N-JFET, Technology: GaN, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: HEMT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 30A, Pulsed drain current: 60A, Case: PDFN88, Gate-source voltage: -10...7V, On-state resistance: 68mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 6.7nC, Kind of package: tape, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TSG65N068CE RVG Hersteller : Taiwan Semiconductor tsg65n068ce_a2303.pdf Trans JFET N-CH 650V 30A GaN
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TSG65N068CE RVG TSG65N068CE RVG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSG65N068CE_A2303.pdf Description: 650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
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TSG65N068CE RVG TSG65N068CE RVG Hersteller : Taiwan Semiconductor TSG65N068CE_A2303.pdf GaN FETs 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
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TSG65N068CE RVG Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSG65N068CE_A2303.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 30A; Idm: 60A; PDFN88
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 60A
Case: PDFN88
Gate-source voltage: -10...7V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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