TSG65N110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 26.54 EUR |
| 10+ | 18.68 EUR |
| 100+ | 16.87 EUR |
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Technische Details TSG65N110CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88, Type of transistor: N-JFET, Technology: GaN, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: HEMT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 18A, Pulsed drain current: 35A, Case: PDFN88, Gate-source voltage: -10...7V, On-state resistance: 0.11Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 4nC, Kind of package: tape, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.
Weitere Produktangebote TSG65N110CE RVG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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TSG65N110CE RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TSG65N110CE RVG | Taiwan Semiconductor |
GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TSG65N110CE RVG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88 Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 35A Case: PDFN88 Gate-source voltage: -10...7V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TSG65N110CE RVG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: 650V, 18A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| TSG65N110CE RVG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
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Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
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| TSG65N110CE RVG |
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Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 35A
Case: PDFN88
Gate-source voltage: -10...7V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A; PDFN88
Type of transistor: N-JFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 35A
Case: PDFN88
Gate-source voltage: -10...7V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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