TSG65N195CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details TSG65N195CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN88, Type of transistor: N-JFET, Technology: GaN, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: HEMT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 11A, Pulsed drain current: 19A, Case: PDFN88, Gate-source voltage: -10...7V, On-state resistance: 0.195Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 2.2nC, Kind of package: tape, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.
Weitere Produktangebote TSG65N195CE RVG nach Preis ab 8.77 EUR bis 18.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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TSG65N195CE RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: 650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TSG65N195CE RVG | Taiwan Semiconductor |
GaN FETs 650V, 11A, PDFN88, E-mode GaN Transistor |
auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSG65N195CE RVG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: 650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 18.08 EUR |
| 10+ | 12.45 EUR |
| 100+ | 10.22 EUR |
| TSG65N195CE RVG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
GaN FETs 650V, 11A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
GaN FETs 650V, 11A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 18.22 EUR |
| 10+ | 12.57 EUR |
| 100+ | 9.37 EUR |
| 500+ | 8.77 EUR |