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TSG65N195CE RVG

TSG65N195CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation

TSG65N195CE_A2303.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details TSG65N195CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A; PDFN88, Technology: GaN, Case: PDFN88, Mounting: SMD, Kind of package: tape, On-state resistance: 0.195Ω, Pulsed drain current: 19A, Gate charge: 2.2nC, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 11A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, Kind of transistor: HEMT, Type of transistor: N-JFET, Gate-source voltage: -10...7V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TSG65N195CE RVG TSG65N195CE RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSG65N195CE_A2303.pdf Description: 650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR
Packaging: Cut Tape (CT)
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TSG65N195CE RVG TSG65N195CE RVG Taiwan Semiconductor TSG65N195CE_A2303.pdf GaN FETs 650V, 11A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
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