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TSHG5210

TSHG5210 Vishay Semiconductors

tshg5210.pdf
Hersteller: Vishay Semiconductors
Infrared Emitters 850nm, T-1.75 180mW/sr, +/-10deg.
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Technische Details TSHG5210 Vishay Semiconductors

Description: EMITTER IR 850NM 100MA RADIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Radial, Wavelength: 850nm, Mounting Type: Through Hole, Type: Infrared (IR), Orientation: Top View, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V, Viewing Angle: 20°, Current - DC Forward (If) (Max): 100mA, Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 140mW/sr @ 100mA, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote TSHG5210 nach Preis ab 0.76 EUR bis 1.81 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
TSHG5210 TSHG5210 Vishay Semiconductor Opto Division tshg5210.pdf Description: EMITTER IR 850NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Viewing Angle: 20°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 140mW/sr @ 100mA
Part Status: Active
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TSHG5210 tshg5210.pdf
TSHG5210
Hersteller: Vishay Semiconductor Opto Division
Description: EMITTER IR 850NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Viewing Angle: 20°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 140mW/sr @ 100mA
Part Status: Active
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