TSHG8200 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.65 EUR |
| 10+ | 1.15 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
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Technische Details TSHG8200 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - TSHG8200 - Infrarot-Emitter, 830 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 180 mW/Sr, 20 ns, 13 ns, tariffCode: 85414100, Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm), Durchlassspannung Vf max.: 1.5V, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Abfallzeit tf: 13ns, MSL: -, usEccn: EAR99, Spitzenwellenlänge: 830nm, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Strahlungsintensität (Ie): 180mW/Sr, Halbwertswinkel: 10°, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA, Produktpalette: GaAlAs Double Hetero IR Diode, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Anstiegszeit: 20ns, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TSHG8200 nach Preis ab 0.87 EUR bis 2.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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TSHG8200 | Vishay Semiconductor Opto Division |
 Description: EMITTER IR 830NM 100MA RADIALMounting Type: Through Hole Wavelength: 830nm Package / Case: Radial, 5mm Dia (T 1 3/4) Packaging: Bulk Part Status: Active Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 120mW/sr @ 100mA Current - DC Forward (If) (Max): 100mA Viewing Angle: 20° Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Orientation: Top View Type: Infrared (IR) |
auf Bestellung 19147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TSHG8200 | VISHAY |
Description: VISHAY - TSHG8200 - Infrarot-Emitter, 830 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 180 mW/Sr, 20 ns, 13 ns tariffCode: 85414100 Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm) Durchlassspannung Vf max.: 1.5V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 13ns MSL: - usEccn: EAR99 Spitzenwellenlänge: 830nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 180mW/Sr Halbwertswinkel: 10° euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA Produktpalette: GaAlAs Double Hetero IR Diode productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Anstiegszeit: 20ns SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TSHG8200 |
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Hersteller: Vishay Semiconductor Opto Division
Description: EMITTER IR 830NM 100MA RADIAL
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 830nm
Package / Case: Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 120mW/sr @ 100mA
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Viewing Angle: 20°
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Orientation: Top View
Type: Infrared (IR)
Description: EMITTER IR 830NM 100MA RADIAL
Mounting Type: Through Hole
Wavelength: 830nm
Package / Case: Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 120mW/sr @ 100mA
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Viewing Angle: 20°
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Orientation: Top View
Type: Infrared (IR)
auf Bestellung 19147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.7 EUR |
| 13+ | 1.7 EUR |
| 100+ | 1.26 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
| 2000+ | 0.9 EUR |
| 5000+ | 0.89 EUR |
| 10000+ | 0.87 EUR |
| TSHG8200 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - TSHG8200 - Infrarot-Emitter, 830 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 180 mW/Sr, 20 ns, 13 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Durchlassspannung Vf max.: 1.5V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 13ns
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 830nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 180mW/Sr
Halbwertswinkel: 10°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: GaAlAs Double Hetero IR Diode
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anstiegszeit: 20ns
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - TSHG8200 - Infrarot-Emitter, 830 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 180 mW/Sr, 20 ns, 13 ns
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Durchlassspannung Vf max.: 1.5V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 13ns
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 830nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 180mW/Sr
Halbwertswinkel: 10°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: GaAlAs Double Hetero IR Diode
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anstiegszeit: 20ns
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)