Produkte > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM043NB04CZ C0G
TSM043NB04CZ C0G

TSM043NB04CZ C0G Taiwan Semiconductor


Hersteller: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 40V, 124A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 3930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.86 EUR
10+3.14 EUR
100+2.12 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.59 EUR
2000+1.51 EUR
4000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TSM043NB04CZ C0G Taiwan Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 124A; 125W; TO220AB, On-state resistance: 43.5mΩ, Mounting: THT, Power dissipation: 125W, Gate charge: 74nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 124A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 40V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: TO220AB.

Weitere Produktangebote TSM043NB04CZ C0G

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TSM043NB04CZ C0G TSM043NB04CZ C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 124A; 125W; TO220AB
On-state resistance: 43.5mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Gate charge: 74nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 124A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM043NB04CZ C0G
TSM043NB04CZ C0G
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 124A; 125W; TO220AB
On-state resistance: 43.5mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Gate charge: 74nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 124A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH