Produkte > TAIWAN SEMICONDUCTOR > TSM170N06CH X0G
TSM170N06CH X0G

TSM170N06CH X0G Taiwan Semiconductor


Hersteller: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 122-126 Tag (e)
Mindestmenge: 15000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TSM170N06CH X0G Taiwan Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 46W; IPAK SL, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 24A, Power dissipation: 46W, Case: IPAK SL, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 15nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

Weitere Produktangebote TSM170N06CH X0G

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TSM170N06CH X0G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 46W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 46W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM170N06CH X0G
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 46W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 24A
Power dissipation: 46W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH