TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor
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Technische Details TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: PDFN56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote TSM220NB06CR RLG nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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TSM220NB06CR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V |
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TSM220NB06CR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R |
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TSM220NB06CR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET |
auf Bestellung 3975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TSM220NB06CR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1454 pF @ 30 V |
auf Bestellung 9176 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TSM220NB06CR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PDFN56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1678 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM220NB06CR RLG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM220NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.019 ohm, PDFN56, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PDFN56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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TSM220NB06CR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PDFN EP T/R |
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TSM220NB06CR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R |
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TSM220NB06CR RLG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R |
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