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TSM220NB06LCR RLG

TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor

tsm220nb06lcr_b1804.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PDFN EP T/R
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Technische Details TSM220NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V.

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TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06LCR_B1804.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 30 V
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 35A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
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TSM220NB06LCR RLG TSM220NB06LCR RLG Hersteller : Taiwan Semiconductor TSM220NB06LCR_B1804.pdf MOSFETs 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET
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