TSM2302CX RFG Taiwan Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.29 EUR |
| 6000+ | 0.25 EUR |
| 9000+ | 0.23 EUR |
| 15000+ | 0.2 EUR |
| 21000+ | 0.19 EUR |
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Technische Details TSM2302CX RFG Taiwan Semiconductor
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote TSM2302CX RFG nach Preis ab 0.21 EUR bis 7.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V |
auf Bestellung 36531 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TSM2302CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM2302CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM2302CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 300mW; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tape Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Gate charge: 7.8nC On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 0.3W Gate-source voltage: ±8V Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 14758 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2302CX RFG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.3 EUR |
| 6000+ | 0.27 EUR |
| 9000+ | 0.26 EUR |
| 15000+ | 0.25 EUR |
| 21000+ | 0.24 EUR |
| 30000+ | 0.23 EUR |
| TSM2302CX RFG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.3 EUR |
| 6000+ | 0.26 EUR |
| 9000+ | 0.24 EUR |
| 15000+ | 0.23 EUR |
| 21000+ | 0.21 EUR |
| TSM2302CX RFG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V
auf Bestellung 36531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 1.3 EUR |
| 27+ | 0.8 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| TSM2302CX RFG |
|
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 148+ | 1.69 EUR |
| 242+ | 0.96 EUR |
| 368+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1500+ | 0.4 EUR |
| TSM2302CX RFG |
|
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 148+ | 1.69 EUR |
| 242+ | 0.96 EUR |
| 368+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1500+ | 0.4 EUR |
| TSM2302CX RFG |
|
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 300mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Gate charge: 7.8nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 0.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 300mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Gate charge: 7.8nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 0.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 7.75 EUR |
| TSM2302CX RFG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.36 EUR |
| TSM2302CX RFG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 14758 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.36 EUR |