TSM2323CX RFG
Produktcode: 186937
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote TSM2323CX RFG nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM2323CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
TSM2323CX RFG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 800mW; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: tape Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.7A Gate charge: 19nC On-state resistance: 39mΩ Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±8V |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
TSM2323CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 66151 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
TSM2323CX RFG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2323CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 7051 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| TSM2323CX RFG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2323CX RFG TTSM2323cx Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|