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TSM250N02CX RFG

TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor

tsm250n02cx_b1811.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor

Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02CX_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
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TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor tsm250n02cx_b1811.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor tsm250n02cx_b1811.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02CX_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
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TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor tsm250n02cx_b1811.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor TSM250N02CX_B1811.pdf MOSFETs 20V, 5.8A, Single N-Channel Power MOSFET
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TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM250N02CX_B1811.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R TSM250N02CX RFG TTSM250n02cx
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TSM250N02CX RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
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Vgs (Max): ±10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
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