TSM3N80CI C0G Taiwan Semiconductor
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Technische Details TSM3N80CI C0G Taiwan Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 32W; TO220FP, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 1.83A, Gate charge: 19nC, Power dissipation: 32W, On-state resistance: 4.2Ω, Gate-source voltage: ±30V, Case: TO220FP, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote TSM3N80CI C0G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TSM3N80CI C0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: MOSFET N-CH 800V 3A ITO220AB |
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TSM3N80CI C0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
MOSFET 800V 3A Single N-Cha nnel Power MOSFET |
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TSM3N80CI C0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.83A; 32W; TO220FP Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.83A Gate charge: 19nC Power dissipation: 32W On-state resistance: 4.2Ω Gate-source voltage: ±30V Case: TO220FP Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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