TSM70N600CI C0G Taiwan Semiconductor
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Technische Details TSM70N600CI C0G Taiwan Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 32W; TO220FP, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 4.8A, On-state resistance: 0.6Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 32W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 12.6nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Case: TO220FP, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote TSM70N600CI C0G
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TSM70N600CI C0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 32W; TO220FP Drain-source voltage: 700V Drain current: 4.8A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 32W Polarisation: unipolar Gate charge: 12.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220FP Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TSM70N600CI C0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB |
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TSM70N600CI C0G | Hersteller : Taiwan Semiconductor | MOSFET 700V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET |
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TSM70N600CI C0G | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 32W; TO220FP Drain-source voltage: 700V Drain current: 4.8A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 32W Polarisation: unipolar Gate charge: 12.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220FP |
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