TSM80N950CP ROG Taiwan Semiconductor
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|---|---|
| 1+ | 9.61 EUR |
| 10+ | 8.47 EUR |
| 100+ | 6.93 EUR |
| 500+ | 5.91 EUR |
| 1000+ | 4.98 EUR |
| 2500+ | 4.72 EUR |
| 5000+ | 4.66 EUR |
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Technische Details TSM80N950CP ROG Taiwan Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; DPAK, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 3.8A, On-state resistance: 0.95Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 110W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tape, Gate charge: 19.6nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: SMD, Case: DPAK.
Weitere Produktangebote TSM80N950CP ROG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TSM80N950CP ROG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252 |
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TSM80N950CP ROG | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252 |
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TSM80N950CP ROG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TSM80N950CP ROG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; DPAK Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.8A On-state resistance: 0.95Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: tape Gate charge: 19.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |